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비파괴독출형 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077268
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비파괴독출형(Non-destructive read-out type, NDRO) 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 텅스텐 브론즈 타입(Tungsten bronze-type)의 스트론튬-바륨-나이오븀 산화물계 ("SBN") (SrxBa1-xNb2O6)의 강유체전 박막을 유기금속열분해(Metal Organic Decomposition)에 의해 형성하는 방법과 이러한 방법으로 제조된 SBN 박막을 게이트 유전체로서 적용한 NDRO형 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 SBN 박막의 물성적인 측면에서 고온 안정성과 피로특성을 향상시킬 수 있는 유기금속 열분해(MOD : Metal Organic Decomposition) 법에 의한 SBN 박막 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있고, 또한 본 발명의 다른 목적은 게이트 유전체에 MOD법으로 제조된 SBN 박막을 적용하고, 산화물 전극을 졸-겔 법(Sol-gel method)에 의해 형성하여, 강유전성(ferroelectricity)이 향상된 비파괴독출형(Non-destructive readout-type) 전계효과트랜지스터를 제공하는데 있다.비파괴독출형 전계효과트랜지스터, SBN 박막, 유기금속 열분해, 졸-겔 법
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/02197(2013.01) H01L 21/02197(2013.01) H01L 21/02197(2013.01) H01L 21/02197(2013.01)
출원번호/일자 1019990044998 (1999.10.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0362169-0000 (2002.11.11)
공개번호/일자 10-2001-0037449 (2001.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20021123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조채룡 대한민국 대전광역시 유성구
2 이원재 대한민국 대전광역시유성구
3 유병곤 대한민국 대전광역시 유성구
4 유인규 대한민국 대전광역시 유성구
5 김보우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.10.18 수리 (Accepted) 1-1-1999-0131466-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0174327-78
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-5242490-12
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-5273727-64
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0279675-89
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.11.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0311444-91
8 의견서
Written Opinion		 2001.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0311448-73
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0193223-53
10 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2002.07.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2002-0011538-55
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 등록결정서
Decision to grant		 2002.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0349366-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

삭제
2 2

바륨(Ba)-스트론튬(Sr)-나이오븀(Nb) 산화물계(SrxBa1-xNb2O6) 강유전체 박막을 형성하기 위한 방법에 있어서,

바륨과 스트론튬 및 나이오븀의 각 소스물질인 유기금속을 용매와 합성하여 선구물질을 만드는 제1단계;

상기 선구물질을 기판에 스핀 코팅하는 제2단계;

상기 스핀 코팅된 선구물질을 150℃ 근처의 온도에서 제1건조시키는 제3단계;

450℃ 근처의 온도에서 제2건조시키는 제4단계; 및

850℃ 근처의 온도에서 결정화를 위한 어닐링을 실시하는 제5단계를 포함하며,

상기 선구물질을 만드는 제1단계는,

바륨 2-에틸헥사노에이트 및 스트론튬 2-에틸헥사노에이트를 각각 자일렌 용매에 녹이고, 나이오븀 에톡사이드를 2-메톡시에탄올에 녹인 다음, 이들을 합성하는 것에 의해 이루어지는 것

을 특징으로 하는 유기금속 열분해법에 의한 바륨-스트론튬-나이오븀 산화물계 강유전체 박막 제조 방법

3 3

삭제
4 4

제2항에 있어서,

상기 제4단계 이전에 상기 스핀 코팅 및 상기 건조를 원하는 두께가 되도록 다수번 반복 실시하는 것을 특징으로 하는 유기금속 열분해법에 의한 바륨-스트론튬-나이오븀 산화물계 강유전체 박막 제조 방법

5 5

제2항에 있어서,

상기 선구물질 제조시 스트론튬 대 바륨의 비율이 0

6 6

상기 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느한 항의 방법으로 제조된 바륨-스트론튬-나이오븀 산화물계 강유전체 박막을 게이트 유전체로서 갖는 비파괴독출형 전계효과트랜지스터

7 7

제6항에 있어서,

상기 바륨-스트론튬-나이오븀 산화물계 강유전체 박막에 접하는 산화물 금속을 더 포함하는 비파괴독출형 전계효과트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.