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2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015078606
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀 및 그 제조방법에 관한 것으로, 박막 트랜지스터 및 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀의 제조방법에 있어서, 기판 상부에 활성층을 형성하는 단계와 활성층 상부에 게이트 산화막, 게이트 층 및 캡핑 층을 순차적으로 증착하는 단계와 게이트 층 및 캡핑 층을 식각하여 게이트를 형성하는 단계와 게이트의 측면에 스페이서를 형성하고, 전체 상부에 이온 주입을 실시하는 단계 및 전체 상부에 도전층을 증착하여 게이트와 도전층 및 게이트와 활성층 사이에 충전기를 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 충전기가 화소에서 차지하는 면적을 1/2 이하로 줄일 수 있는 효과가 있다. 박막 트랜지스터, 자기 정렬 구조, 스페이서
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 27/1255(2013.01) H01L 27/1255(2013.01) H01L 27/1255(2013.01)
출원번호/일자 1020020057829 (2002.09.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0480310-0000 (2005.03.23)
공개번호/일자 10-2004-0026380 (2004.03.31) 문서열기
공고번호/일자 (20050407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.09.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용해 대한민국 경기도성남시분당구
2 송윤호 대한민국 대전광역시서구
3 고영욱 대한민국 대전광역시서구
4 정중희 대한민국 대전광역시서구
5 손충용 대한민국 충청북도청주시흥덕구
6 이진호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-0310893-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2004-0049378-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0352265-70
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0490150-85
6 의견서
Written Opinion		 2004.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0490152-76
7 등록결정서
Decision to grant		 2005.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0124565-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 트랜지스터 및 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀의 제조방법에 있어서, (a) 기판 상부에 비정질 실리콘을 증착하고, 상기 비정질 실리콘의 충전기 영역에 이온주입을 실시한 후, 레이저를 주사하여 상기 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 변화시켜 활성층을 형성하는 단계; (b) 상기 활성층 상부에 게이트 산화막, 게이트 층 및 캡핑 층을 순차적으로 증착하는 단계; (c) 상기 게이트 층 및 캡핑 층을 식각하여 게이트를 형성하는 단계; (d) 상기 게이트의 측면에 스페이서를 형성하고, 전체 상부에 이온 주입을 실시하는 단계; 및 (e) 전체 상부에 도전층을 증착하여 상기 게이트와 상기 도전층 및 상기 게이트와 상기 활성층 사이에 충전기를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (d) 단계 후에 전체 상부에 층간 절연막을 증착하는 단계; 및 상기 충전기 영역의 게이트 상부 및 소스, 드레인 영역의 상기 층간 절연막을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀의 제조방법
3 3
삭제
4 4
동일 활성층 상에 게이트 층과 캡핑 층으로 형성된 게이트 및 상기 게이트의 측면에 형성된 스페이서로 각각 이루어진 박막 트랜지스터 및 충전기를 포함하되, 상기 충전기는 게이트와 상기 게이트 주위를 둘러싸는 도전층 및 상기 게이트와 상기 게이트 하부의 활성층 사이에 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀
5 4
동일 활성층 상에 게이트 층과 캡핑 층으로 형성된 게이트 및 상기 게이트의 측면에 형성된 스페이서로 각각 이루어진 박막 트랜지스터 및 충전기를 포함하되, 상기 충전기는 게이트와 상기 게이트 주위를 둘러싸는 도전층 및 상기 게이트와 상기 게이트 하부의 활성층 사이에 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.