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폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법 및 이를 이용한폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015079490
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트 물질을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하고 소오스/드레인 영역을 정의하는 공정에서 소오스/드레인 영역 상부의 게이트 물질은 부분적으로 잔류시켜, 결정화와 활성화를 동시에 수행하는 폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법 및 이를 이용한 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조 방법을 제공한다. 폴리실리콘, 박막 트랜지스터, 그레인, 레이저, 결정화, 활성화
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030096039 (2003.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0558284-0000 (2006.02.28)
공개번호/일자 10-2005-0064567 (2005.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20060310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용해 대한민국 경기도성남시분당구
2 손충용 대한민국 충청북도청주시흥덕구
3 이진호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0493249-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0058896-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0461708-63
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0639481-11
6 의견서
Written Opinion		 2005.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2005-0639494-15
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0114180-41
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계; 상기 비정질 실리콘층 상부에 게이트 물질을 형성하는 단계; 상기 게이트 물질을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하고 소오스/드레인 영역을 정의하되, 상기 소오스/드레인 영역 상부의 상기 게이트 물질은 부분적으로 잔류시키는 단계; 상기 전체 구조 상에 이온주입을 실시하여 상기 소오스/드레인 영역을 도핑하는 단계; 및 상기 전체 구조 상에 레이저 조사를 수행하여 상기 비정질 실리콘층의 적어도 채널 영역을 결정화시키고, 상기 비정질 실리콘층의 적어도 소오스/드레인 영역을 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 물질은 몰리브덴, 크롬, 알루미늄, 폴리실리콘층 또는 이들이 조합된 물질인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 물질은 1000 내지 5000Å 두께로 증착하고, 10Å 내지 1000Å 두께로 잔류되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 레이저의 조사에 의하면, 상기 게이트 전극은 레이저를 흡수하고 이를 열에너지로 바꿔 상기 비정질 실리콘층의 채널층까지 전달하여 결정화가 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법
5 5
기판 상에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계; 상기 비정질 실리콘층 상부에 게이트 물질을 형성하는 단계; 상기 게이트 물질을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하고 소오스/드레인 영역을 정의하되, 상기 소오스/드레인 영역 상부의 상기 게이트 물질은 부분적으로 잔류시키는 단계; 상기 전체 구조 상에 이온주입을 실시하여 상기 소오스/드레인 영역을 도핑하는 단계; 상기 전체 구조 상에 레이저 조사를 수행하여 상기 비정질 실리콘층의 적어도 채널 영역을 결정화시키고, 상기 비정질 실리콘층의 적어도 소오스/드레인 영역을 활성화시키는 단계; 상기 소스/드레인 영역 상부의 잔류한 게이트 물질을 제거하는 단계; 및 상기 전체 구조상에 층간 절연막을 형성하고 그 내부에 콘택홀을 형성하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 게이트 물질은 1000 내지 5000Å 두께로 증착하고, 10Å 내지 1000Å 두께로 잔류되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 레이저의 조사에 의하면, 상기 게이트 전극은 레이저를 흡수하고 이를 열에너지로 바꿔 상기 비정질 실리콘층의 채널층까지 전달하여 결정화가 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
8 7
제 5 항에 있어서, 상기 레이저의 조사에 의하면, 상기 게이트 전극은 레이저를 흡수하고 이를 열에너지로 바꿔 상기 비정질 실리콘층의 채널층까지 전달하여 결정화가 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07517740 US 미국 FAMILY
2 US20050142707 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2005142707 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7517740 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.