맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015079611
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법은, 기판상에 게이트도전막패턴을 형성하는 단계와, 기판의 노출표면 및 게이트도전막 위에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 게이트절연막 위에 게이트도전막패턴과 중첩되는 게이트절연막의 일부표면이 노출되도록 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와, 게이트절연막의 노출표면 위에 유기반도체박막을 형성하는 단계와, 유기반도체박막 위에 유기반도체박막의 일부표면을 노출시키는 보호막패턴을 형성하는 단계와, 그리고 보호막패턴을 식각마스크로 이용하여 유기반도체박막의 노출표면이 제거된 유기반도체박막패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 유기박막 트랜지스터,
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020030096220 (2003.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0576719-0000 (2006.04.27)
공개번호/일자 10-2005-0064648 (2005.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20060503) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.24)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강승열 대한민국 대전광역시유성구
2 안성덕 대한민국 대전광역시유성구
3 김철암 대한민국 대전광역시유성구
4 정명주 대한민국 대전광역시유성구
5 서경수 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주) 제이앤케이사이언스 서울특별시 서초구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0493808-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0058898-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0462695-25
5 의견서
Written Opinion		 2005.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0666289-84
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0666290-20
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0175136-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 게이트도전막패턴을 형성하는 단계;상기 기판의 노출표면 및 상기 게이트도전막 위에 게이트절연막을 형성하는 단계;상기 게이트절연막 위에 상기 게이트도전막패턴과 중첩되는 상기 게이트절연막의 일부표면이 노출되도록 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계;상기 게이트절연막의 노출표면 위에 유기반도체박막을 형성하는 단계;상기 유기반도체박막 위에 상기 유기반도체박막의 일부표면을 노출시키고, 윤활유와 상기 윤활유에 용해되는 고분자 또는 유기물 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 혼합물로 이루어진 보호막패턴을 형성하는 단계; 및상기 보호막패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 유기반도체박막의 노출표면이 제거된 유기반도체박막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 유기반도체박막은 고분자 유기반도체 또는 저분자 유기반도체로 형성하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 보호막패턴을 형성하는 단계는, 상기 유기반도체박막 위에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 보호막을 패터닝하여 상기 유기반도체박막의 일부표면을 노출시키는 보호막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 고분자는 천연고무, 이소프렌계고무, 부텐계고무, 또는 부틸렌계고무 중에서 선택되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 유기물은 고분자의 모노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 혼합물은 상기 모노머를 중합하는 광개시제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
제3항에 있어서,상기 보호막은 상기 혼합물을 스핀코팅, 딥코팅, 또는 캐스팅 중에서 선택되는 방법에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 윤활유는, 상기 유기반도체박막과 반응하지 않는 불활성 액체인 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 윤활유는 실리콘오일, 미네랄오일 또는 파라핀오일 중에서 선택되는 것을 포함하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
12 12
기판상에 게이트도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 기판의 노출표면 및 상기 게이트도전막 위에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 유기반도체박막을 형성하는 단계; 상기 유기반도체박막 위에 상기 유기반도체박막의 일부표면을 노출시키는 제1 보호막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 보호막패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 유기반도체박막의 노출표면이 제거된 유기반도체박막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 보호막패턴을 제거하고 상기 유기반도체박막패턴을 덮는 제2 보호막을 형성하는 단계; 상기 제2 보호막 위에 마스크막패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크막패턴을 식각마스크로 한 식각공정으로 상기 제2 보호막의 일부가 제거된 제2 보호막패턴을 형성하는 단계; 상기 유기반도체박막패턴 및 마스크막패턴 위에 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 마스크막패턴 상부의 금속막과 함께 상기 마스크막패턴을 제거하여 상기 유기반도체박막패턴 상부에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 마스크막패턴은 포토레지스트막패턴을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 마스크막패턴 상부의 금속막은 리프트-오프 공정을 수행하여 제거하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
15 15
기판상에 게이트도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 기판의 노출표면 및 상기 게이트도전막 위에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 유기반도체박막을 형성하는 단계; 상기 유기반도체박막 위에 상기 유기반도체박막의 일부표면을 노출시키는 제1 보호막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 보호막패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 유기반도체박막의 노출표면이 제거된 유기반도체박막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 보호막패턴 및 상기 유기반도체박막패턴을 덮는 제2 보호막을 형성하는 단계; 상기 제2 보호막 위에 마스크막패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크막패턴을 식각마스크로 한 식각공정으로 상기 제2 보호막의 일부가 제거된 제2 보호막패턴을 형성하고 상기 제1 보호막패턴의 일부를 제거하는 단계; 상기 유기반도체박막패턴 및 마스크막패턴 위에 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 마스크막패턴 상부의 금속막과 함께 상기 마스크막패턴을 제거하여 상기 유기반도체박막패턴 상부에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
16 15
기판상에 게이트도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 기판의 노출표면 및 상기 게이트도전막 위에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 유기반도체박막을 형성하는 단계; 상기 유기반도체박막 위에 상기 유기반도체박막의 일부표면을 노출시키는 제1 보호막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 보호막패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 유기반도체박막의 노출표면이 제거된 유기반도체박막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 보호막패턴 및 상기 유기반도체박막패턴을 덮는 제2 보호막을 형성하는 단계; 상기 제2 보호막 위에 마스크막패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크막패턴을 식각마스크로 한 식각공정으로 상기 제2 보호막의 일부가 제거된 제2 보호막패턴을 형성하고 상기 제1 보호막패턴의 일부를 제거하는 단계; 상기 유기반도체박막패턴 및 마스크막패턴 위에 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 마스크막패턴 상부의 금속막과 함께 상기 마스크막패턴을 제거하여 상기 유기반도체박막패턴 상부에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07459337 US 미국 FAMILY
2 US20050142496 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2005142496 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7459337 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.