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폴리실리콘층 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터제조 방법

  • 기술번호 : KST2015079775
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리실리콘층 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 발명이다. 특히 Wurtzite-ZnO 버퍼층을 이용한 폴리실리콘층 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 발명이다. 본 발명은 기판 위에 Wurtzite-ZnO 막인 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 위에 실리콘층을 형성하는 단계, 및 상기 실리콘층을 폴리실리콘층으로 재결정화하는 단계를 포함하는 폴리실리콘층 형성 방법을 제공한다. 바람직하게, 폴리실리콘층 형성 방법은 버퍼층을 형성한 후에, 부도체인 배리어층을 형성하는 단계를 추가적으로 포함한다. 또한 이를 박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 플라스틱, 금속 호일, 유리 등 다소 열에 약한 기판 상에 버퍼층을 형성하고 그 위에서 고온을 요하는 재결정화 공정을 성공적으로 수행할 수 있게 한다는 장점이 있다. 폴리실리콘층(polycrystalline silicon layer), 버퍼층(buffer layer), 배리어층(barrier layer), 우르차이트-산화아연(Wurtzite-ZnO)
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/786 (2011.01)
CPC H01L 21/02669(2013.01) H01L 21/02669(2013.01) H01L 21/02669(2013.01) H01L 21/02669(2013.01) H01L 21/02669(2013.01) H01L 21/02669(2013.01) H01L 21/02669(2013.01)
출원번호/일자 1020030097263 (2003.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0568500-0000 (2006.03.31)
공개번호/일자 10-2005-0066061 (2005.06.30) 문서열기
공고번호/일자 (20060407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대한민국 대전광역시유성구
2 임정욱 대한민국 대전광역시유성구
3 김용해 대한민국 경기도성남시분당구
4 손충용 대한민국 충청북도청주시흥덕구
5 이진호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2003-0497054-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0058899-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0462696-71
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0659769-23
6 의견서
Written Opinion		 2005.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0659780-26
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0175137-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판 위에 Wurtzite 결정형을 가지고 상기 기판으로 전달되는 열을 차단하는 특성을 가진 Wurtzite-ZnO 막을 버퍼층으로 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 실리콘층을 형성하는 단계; 및상기 실리콘층을 폴리실리콘층으로 재결정화하는 단계를 포함하는 폴리실리콘층 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계는 상기 버퍼층을 증착하는 단계; 및 상기 버퍼층 중에서 상기 폴리실리콘이 형성될 위치를 포함하는 소정 영역의 버퍼층만을 남기고 나머지 버퍼층을 제거하는 패터닝 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성한 후에, 부도체인 배리어층을 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 배리어층은 Al2O3, AlON 및 Si3N4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판, 금속 포일 기판 및 유리 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 Wurtzite-ZnO 막은 산소-플라즈마를 이용하는 플라즈마 증착법, 스퍼터 증착법, 플라즈마원자층증착법, 플라즈마화학증착법 및 Wurtite-ZnO 나노분말을 사용하여 형성하는 방법 중 어느 한 방법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 재결정화는 레이저를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성 방법
8 8
제 1 내지 7 항 중 어느 한 항에 의하여 폴리실리콘층을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘층을 패터닝하고, 도핑을 수행하여, 소스, 채널 및 드레인을 형성하는 단계; 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
9 8
제 1 내지 7 항 중 어느 한 항에 의하여 폴리실리콘층을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘층을 패터닝하고, 도핑을 수행하여, 소스, 채널 및 드레인을 형성하는 단계; 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04091025 JP 일본 FAMILY
2 JP17197651 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2005197651 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4091025 JP 일본 DOCDBFAMILY
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