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저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 적용한 유기박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015080818
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 게이트 절연막은 아크릴레이트계 화합물, 안하이드라이드계 화합물 및 에폭시계 화합물로부터 저온에서 형성될 수 있으며, 저온 형성이 가능하기 때문에 선공정막에 미치는 영향이 최소화될 수 있고, 이렇게 형성된 게이트 절연막은 내화학성, 고내열성 및 우수한 표면 특성을 갖는다.또한, 본 발명에 따른 게이트 절연막을 유기 활성막, 게이트 전극 및 소스-드레인 전극을 구비하는 유기 박막 트랜지스터에서 게이트 전극 상부에 형성시킴으로써 우수한 전기적 특성을 갖게 한다.게이트 절연막, 저온 경화, 유기 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01)
출원번호/일자 1020050085167 (2005.09.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0696195-0000 (2007.03.12)
공개번호/일자 10-2007-0030475 (2007.03.16) 문서열기
공고번호/일자 (20070320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기현 대한민국 대전 서구
2 윤성민 대한민국 대전 서구
3 유인규 대한민국 대전 유성구
4 강승열 대한민국 대전 유성구
5 안성덕 대한민국 대전 유성구
6 백규하 대한민국 대전 유성구
7 서경수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0510869-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0072957-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0694660-03
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0011962-99
6 의견서
Written Opinion		 2007.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0011939-48
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0115332-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
하기 식 (Ⅰ)의 아크릴레이트계 화합물 0
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 화학식 (Ⅰ)의 아크릴계 화합물로는 다음과 같은 화합물중 일종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 저온 경화형 고분자 게이트 절연막:화학식 4화학식 5 화학식 6
4 4
제 1항에 있어서, 상기 화학식(Ⅱ)의 안하이드라이드계 화합물로는 다음과 같은 화학식 7 내지9로 표시되는 화합물중 일종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 저온 경화형 고분자 게이트 절연막:화학식 7화학식 8화학식 9
5 5
제 1항에 있어서, 상기 화학식(Ⅲ)의 에폭시계 화합물로는 다음과 같은 화학식 10 내지 14로 표시되는 화합물중 일종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 저온 경화형 고분자 게이트 절연막:화학식 10화학식 11화학식 12화학식 13화학식 14
6 6
제 1항에 있어서,유기 용매 중에 아크릴레이트계 화합물, 안하이드라이드계 화합물 및 에폭시계 화합물을 용해시키는 단계;상기 용액을 상기 게이트 절연막이 형성되는 기판상에 도포하는 단계; 및저온에서 열경화시키는 단계를 포함하여 형성된 저온 경화형 게이트 절연막
7 7
제 6항에 있어서, 상기 유기 용매로는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 또는 에틸-3-에톡시프로피네이트를 포함하는 저온 경화형 게이트 절연막
8 8
제 6항에 있어서, 상기 열경화는 150℃의 이하의 온도에서 수행되는 저온 경화형 게이트 절연막
9 9
유기 활성막; 게이트 전극; 및 소스-드레인 전극을 포함하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서,상기 게이트 전극 상에 제 1항에 따른 저온 경화형 고분자 게이트 절연막을 포함하는 것인 유기 박막 트랜지스터
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07586119 US 미국 FAMILY
2 US20070085071 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007085071 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7586119 US 미국 DOCDBFAMILY
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