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유연한 기판에서의 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015081448
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기박막 트랜지스터의 실용화를 위한 필수적 과정인 유기반도체의 패터닝 공정에 사용할 플라즈마 식각방지막 형성 기술과 이 기술에 사용되는 물질에 관한 것이다. 본 발명의 유기박막 트랜지스터는 기판 상에 위치하는 게이트 전극과, 유기 절연막을 사이에 두고 게이트 전극과 마주하는 유기반도체 박막과, 유기 절연막 상에 위치하며 유기반도체 박막에 연결되는 소스/드레인 전극과, 유기 절연막을 덮는 식각방지막을 포함하여 이루어지며, 그리고 유기박막 트랜지스터의 식각방지막은 150℃ 이하의 저온에서 매우 얇은 두께의 무기막을 원자층 증착법으로 증착하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 무기막으로는 저온 증착이 가능한 알루미나 또는 저온 증착이 가능한 산화막을 모두 사용할 수 있다. 본 발명에 의하면, 유기박막 트랜지스터 어레이를 안정적으로 재현성 있게 형성할 수 있으며, 특히 저온 공정이 가능하므로 플라스틱 기판에서도 유기박막 트랜지스터 어레이를 형성할 수 있어서 플렉시블 디스플레이에 직접 응용 가능하며, 스마트카드, RFID 등에도 응용 가능하다.유기박막 트랜지스터, 유기반도체, 패터닝, 플라즈마 식각, 식각방지막, 무기막
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/107(2013.01) H01L 51/107(2013.01)
출원번호/일자 1020060062870 (2006.07.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0777110-0000 (2007.11.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.05)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강승열 대한민국 대전 유성구
2 안성덕 대한민국 대전 유성구
3 박상희 대한민국 대전 유성구
4 황치선 대한민국 대전 대덕구
5 유인규 대한민국 대전 유성구
6 김철암 대한민국 서울 영등포구
7 김기현 대한민국 대전 서구
8 백규하 대한민국 대전 유성구
9 오지영 대한민국 대전 중구
10 서경수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0482301-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0026978-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0290918-57
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0507182-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0507175-17
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0599143-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 위치하는 게이트 전극;유기 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 마주하는 유기반도체 박막;상기 유기 절연막 상에 위치하며 상기 유기반도체 박막에 연결되는 소스/드레인 전극; 및상기 유기 절연막을 덮는 식각방지막을 포함하여 이루어지는 유기박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 식각방지막은 무기막이며, 상기 무기막은 알루미늄 산화막, 실리콘 산화막, 및 실리콘 질화막 중 적어도 하나인 유기박막 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 식각방지막은 상기 소스/드레인 전극을 덮고 상기 게이트 전극과 마주하는 영역에 개구부를 구비하며, 상기 유기반도체 박막과 상기 유기 절연막은 상기 개구부를 통해 직접 접하는 유기박막 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 식각방지막 상에 및 상기 유기반도체 박막과 상기 소스/드레인 전극의 하부에 위치하는 또 다른 유기 절연막을 추가적으로 포함하여 이루어지는 유기박막 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 유기반도체 박막 상에 위치하는 보호막을 추가적으로 포함하는 유기박막 트랜지스터
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유연한 기판이며, 상기 게이트 전극은 금속 또는 전도성 고분자로 이루어지며, 상기 유기 절연막은 고분자막이며, 상기 유기반도체 박막은 단분자, 저분자, 고분자 중 적어도 어느 하나의 형태를 가지며, 상기 소스/드레인 전극은 금속 또는 전도성 고분자인 유기박막 트랜지스터
8 8
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판과 상기 게이트 전극 상에 유기 절연막을 형성하는 단계;상기 유기 절연막 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 유기 절연막과 상기 소스/드레인 전극 상에 식각방지막을 형성하는 단계;상기 식각방지막 상에 유기반도체 박막을 형성하는 단계;상기 유기반도체 박막 상부에 보호막을 형성하는 단계; 및상기 보호막을 이용하여 상기 유기반도체 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 식각방지막 상에 유기반도체 박막을 형성하는 단계는, 상기 게이트 전극과 마주하는 채널 영역의 상기 식각방지막 일부를 제거하는 단계, 및 상기 유기 절연막이 노출된 상기 채널 영역과 상기 식각방지막 상에 상기 유기반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
10 10
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판과 상기 게이트 전극 상에 유기 절연막을 형성하는 단계;상기 유기 절연막 상에 식각방지막을 형성하는 단계;상기 식각방지막 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극과 마주하는 상기 식각방지막 상에 유기반도체 박막을 형성하는 단계;상기 유기반도체 박막 상부에 보호막을 형성하는 단계; 및상기 보호막을 이용하여 상기 유기반도체 박막을 패터닝하는 단계를 포함하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 식각방지막 상부와 상기 유기반도체 박막과 상기 소스/드레인 전극 하부 사이에 위치하도록 또 다른 유기 절연막을 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
12 12
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 식각방지막을 형성하는 단계는 상기 식각 방지막을 원자층 증착법으로 형성하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 식각방지막은 무기막이며, 상기 무기막은 알루미늄 산화막, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 중 중 적어도 어느 하나인 유기박막 트랜지스터 제조방법
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 유기반도체 박막을 패터닝하는 단계는 플라즈마를 이용한 건식 식각을 이용하며, 상기 플라즈마 식각은 공정의 균일성 및 재현성을 위한 초과식각을 포함하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
15 15
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 기판은 유연한 기판이며, 상기 게이트 전극은 금속 또는 전도성 고분자로 이루어지며, 상기 유기 절연막은 고분자막이며, 상기 유기반도체 박막은 단분자, 저분자 및 고분자 중 적어도 어느 하나의 형태를 가지며, 상기 소스/드레인 전극은 금속 또는 전도성 고분자인 유기박막 트랜지스터 제조방법
16 16
제 8 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 보호막은 윤활유와 유기물을 혼합한 혼합물, 윤활유와 고분자를 혼합한 혼합물, 물에 녹을 수 있는 고분자, 또는 화학기상증착법으로 도포가 가능한 파릴렌 계열의 고분자 중 적어도 어느 하나를 이용하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.