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반도체 기판상의 최상부에 버퍼층을 형성하는 단계와,상기 버퍼층의 상부에 무기물 포토레지스트를 도포하고 리소그래피를 통해 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 형성된 포토레지스트 패턴에 특정 가스를 사용한 열처리를 하는 단계와,상기 열처리된 구조물의 상부에 균일한 두께의 절연막을 증착한 후에 상기 열처리된 포토레지스트 패턴이 노출되도록 상기 증착된 막을 상기 증착한 두께만큼 식각하는 단계와,상기 식각 단계를 거친 구조물에 절연막을 증착하고, 상기 열처리된 포토레지스트 패턴이 노출되도록 상기 증착된 절연막을 식각하는 단계와,상기 노출되어 있는 열처리된 포토레지스트 패턴을 식각을 통해 제거하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴이 제거된 자리에 게이트 산화막을 형성하는 단계와,상기 형성된 게이트 산화막의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 SOI(Silicon On Insulator) 기판 또는 화합물 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 리소그래피를 통해 패턴을 형성하는 단계는 빛, 전자빔 또는 이온빔 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 형성된 포토레지스트 패턴의 선폭을 줄이기 위해 상기 포토레지스트 패턴을 트리밍하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 트리밍 하는 단계는 CF4 또는 CHF3 가스를 사용하는 건식 식각 또는 불산(HF)을 사용하는 습식 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 특정 가스로 O2를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing) 또는 퍼니스(furnace)를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리를 하는 단계에 의해 상기 포토레지스트 패턴이 경화되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 노출되어 있는 열처리된 포토레지스트 패턴을 식각을 통해 제거하는 단계는 상기 식각을 통해 상기 열처리된 포토레지스트 패턴의 하부에 있는 버퍼층을 함께 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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