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기판상에 얕은 트렌치를 이용하여 소자 분리막을 형성하는 단계; 상기 기판상에 실리콘-질화막을 형성한 다음, 소오스/드인 형성 영역을 노출시키기 위해 상기 실리콘-질화막을 선택적으로 식각하는 단계;상기 노출된 소오스/드레인 형성 영역 상부에서 델타 도핑을 이용하여 상기 기판 표면에 불순물을 도포하여 델타 도핑층을 형성하는 단계;상기 델타도핑층 상에 불순물이 함유된 실리콘-게르마늄 막을 선택적으로 성장시키는 단계;상기 기판을 급속 열처리하여 상기 불순물의 확산을 통해 상기 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 절연막을 증착하는 단계; 상기 절연막을 식각하여 소오스/드레인 단자와 접촉할 소오스/드레인 접촉부를 형성하는 단계;상기 소오스/드레인 접촉부가 형성된 상기 절연막 상부에 금속을 증착하여 금속-실리사이드를 형성하는 단계; 및상기 실리사이드가 형성된 다음, 상기 실리사이드와 접촉하도록 소오스/드레인 단자를 형성하는 단계를 포함하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 접촉부를 형성하기 전에, 상기 절연막 상에 금속 게이트를 형성하고, 상기 금속 게이트가 형성된 상기 절연막 상에 절연 보호막을 형성하는 단계;상기 절연 보호막을 식각하여 상기 금속 게이트가 노출되도록 게이트 접촉부를 형성하는 단계; 및상기 게이트 접촉부를 통해 상기 금속 게이트와 전기적으로 연결되는 게이트 단자를 형성하는 단계를 더 포함하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 소오스/드레인 접촉부를 형성하는 단계는 상기 절연막과 상기 절연 보호막을 식각하여 형성하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 게이트 단자는 상기 소오스/드레인 단자 형성시 함께 형성되는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 델타도핑층을 형성하는 단계 및 상기 실리콘-게르마늄 막을 성장시키는 단계 전에는 상기 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 세정 단계에서는 묽은 불산 용액을 이용하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 델타도핑층을 형성하기 전에는 상기 기판을 화학 기상 증착기 내에서 고온의 수소분위기로 열처리하는 단계를 더 포함하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 델타도핑층을 형성하는 단계에서는 B2H6 및 PH3 가스를 이용하여 상기 소오스/드레인 영역의 표면에 상기 불순물을 1 ~ 5분 정도 도포하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 실리콘-게르마늄막을 증착하는 단계는, 화학 기상 증착법을 이용하여 SiH4/GeH4/Hcl/H2 또는 SiH2Cl/GeH4/Hcl/H2의 혼합 가스를 이용하여 550 ~ 700℃의 온도에서 수행하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 실리콘-게르마늄막을 증착하는 단계는, 상기 실리콘-게르마늄막 내의 게르마늄의 함량을 40 ~ 80% 범위로 하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 실리콘-게르마늄막을 증착하는 단계는, 상기 실리콘-게르마늄막 내에 고농도의 불순물을 실시간으로 첨가하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계는 800 ~ 900℃의 온도에서 고온 급속 열처리 공정을 이용하여 수행하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속을 증착하여 실리 사이드를 형성하는 단계는 니켈을 상기 기판 전면에 증착하는 단계;상기 니켈이 증착된 다음, 열처리를 수행하여 상기 소오스/드레인 접촉부를 통해 노출된 상기 실리콘-게르마늄막 상에 니켈-게르마늄 실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 열처리 공정은 500 ~ 600℃의 온도 범위에서 수행되는 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 게르마늄 기판 또는 실리콘을 기반으로 하는 게르마늄 상 절연체(GOI) 기판인 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 절연막은 고유전율을 갖는 금속 산화막인 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 게르마늄 기판 또는 실리콘 기판을 기반으로 하는 게르마늄 상 절연체(GOI; germanium of insulator) 기판인 게르마늄 반도체 소자의 제조방법
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제1, 2, 3, 4, 5, 6, 12, 13, 14, 15, 16, 17항 중 어느 하나의 게르마늄 반도체 소자 제조방법을 이용하여 제조된 게르마늄 반도체 소자
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