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전기박막형 트랜지스터 및 광박막형 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 전기박막형 트랜지스터는 금속층, 상기 금속층 상에 열 열매층 역할을 수행하는 실리콘층, 상기 실리콘층 상에 형성된 절연층, 및 상기 절연층 상에 채널층 역할을 수행하고 전기 이동도가 비정질 실리콘층보다 좋아 스위칭 특성이 좋은 다결정실리콘층을 포함하고,상기 광박막형 트랜지스터는 게이트 전극 역할을 수행하는 금속층, 상기 금속층 상에 게이트 절연층 역할을 수행하는 절연층, 및 상기 절연층 상에 채널층 역할을 수행하고 다결정실리콘층보다 광전도도가 좋아 스위칭 특성이 좋은 비정질 실리콘층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터의 금속층은 게이트 전극 역할을 수행하고, 상기 실리콘층 상에 형성된 절연층은 게이트 절연층 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터의 다결정실리콘층 상에 게이트 절연층 역할을 수행하는 절연층과 게이트 전극 역할을 수행하는 제2 금속층이 순차적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터 및 광박막형 트랜지스터의 금속층은 유리 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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전기박막형 트랜지스터 및 광박막형 트랜지스터로 구획된 기판;상기 기판 상에 형성된 금속층;상기 전기박막형 트랜지스터 부분의 금속층 상에 형성되고 열 열매층 역할을 수행하는 실리콘층;상기 광박막형 트랜지스터 부분의 금속층 상부에 형성되고 다결정실리콘층보다 광전도도가 좋은 채널층 역할을 수행하는 비정질 실리콘층;상기 광박막형 트랜지스터 부분의 금속층 및 상기 비정질 실리콘층 사이와, 상기 비정질 실리콘층 상부에 형성되어 게이트 절연층 역할을 수행하는 상기 광박막형 트랜지스터용 절연층; 상기 전기박막형 트랜지스터 부분의 실리콘층 상에 형성되고 상기 전기박막형 트랜지스터용 절연층; 및 상기 전기박막형 트랜지스터용 절연층 상에 형성되고 비정질 실리콘층보다 전기이동도가 좋은 채널층 역할을 수행하는 다결정실리콘층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제5항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터 부분의 상기 금속층은 게이트 전극 역할을 수행하고, 상기 전기박막형 트랜지스터용 절연층은 게이트 절연층 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제5항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터 부분의 다결정실리콘층 상에 게이트 절연층 역할을 수행하는 제2 절연층과 게이트 전극 역할을 수행하는 제2 금속층이 순차적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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전기박막형 트랜지스터 및 광박막형 트랜지스터로 구획된 기판을 준비하는 단계;상기 전기박막형 트랜지스터 부분에 금속층, 제1 비정질 실리콘층, 절연층 및 제2 비정질 실리콘층을 포함하는 전기박막형 트랜지스터 구조물을 형성하는 단계;상기 광박막형 트랜지스터 부분에 금속층, 절연층, 채널층으로 이용되는 제3 비정질 실리콘층 및 열 차단층을 포함하는 광박막형 트랜지스터 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 전기박막형 트랜지스터 구조물의 제2 비정질 실리콘층을 결정화하여 채널층으로 이용되는 다결정실리콘층을 형성하는 단계를 포함하여,상기 전기박막형 트랜지스터의 채널층 및 광박막형 트랜지스터의 채널층을 동시에 형성하되, 상기 전기박막형 트랜지스터의 채널층은 비정질 실리콘층보다 전기이동도가 좋은 상기 다결정실리콘층으로 형성하고, 상기 광박막형 트랜지스터의 채널층은 다결정실리콘층보다 광전도도가 좋은 상기 제3 비정질 실리콘층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터 구조물의 제2 비정질 실리콘층의 결정화는 레이저를 주사하여 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 레이저는 단일 펄스 레이저임을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터 구조물의 제2 비정질 실리콘층의 결정화시 상기 광박막형 트랜지스터 구조물의 제3 비정질 실리콘층은 상기 열 차단층으로 인해 결정화되지 않는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 열 차단층은 금속층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터 구조물의 제2 비정질 실리콘층의 결정화시 상기 전기박막형 트랜지스터 구조물의 제1 비정질 실리콘층은 열 열매층으로 작용하여 상기 제2 비정질 실리콘층의 결정화속도를 늦추는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 전기박막형 트랜지스터 구조물의 제2 비정질 실리콘층의 결정화시 상기 전기박막형 트랜지스터 구조물의 제1 비정질 실리콘층은 다결정실리콘층으로 결정화되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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