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기판;
상기 기판 상에 형성된 유기 박막 트랜지스터;
상기 유기 박막 트랜지스터를 덮는 패시베이션층; 및
상기 패시베이션층 상에 형성되어 화소의 모양을 정의하는 뱅크층을 구비하되,
상기 패시베이션층 및 상기 뱅크층 중의 적어도 하나는 상기 기판의 상부로부터 상기 유기 박막 트랜지스터로 입사되는 광을 차단하도록 금속 원자의 산화물들, 금속 원자의 질화물들, 유기 절연막들, 그리고 폴리이미드 계열의 수지들 중에서, 5%이하의 광투과도 특성을 제공할 수 있도록 조합된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 금속 원자는 Mg, Al, Cr, Co, Ni, Pd, Ag, Au, Pt, Mo 또는 Ti를 포함하고, 상기 유기 절연막들은 카본 블랙이 첨가된 것을 특징으로 하는 표시 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 패시베이션층은 상기 기판의 상부로부터 상기 유기 박막 트랜지스터로 입사되는 광을 차단할 수 있도록 상기 유기 박막 트랜지스터의 상부 영역을 덮는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 패시베이션층 상부에 배치되는 애노드 전극을 더 포함하되,
상기 애노드 전극은 상기 기판의 상부로부터 상기 유기 박막 트랜지스터로 입사되는 광을 차단할 수 있도록 상기 유기 박막 트랜지스터의 상부 영역을 덮는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 유기 반도체층 상부에 배치되면서 5%이하의 광투과도 특성을 제공할 수 있는 물질로 형성되는 상부 광차단막을 더 포함하는 표시 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 유기 박막 트랜지스터는
상기 기판 상에 배치되는 게이트 패턴;
상기 게이트 패턴 상에 배치된 유전막; 및
상기 유전막 상에 배치된 유기 반도체층을 구비하되,
상기 게이트 패턴은 상기 기판의 하부로부터 상기 유기 반도체층으로 입사되는 빛을 차단하도록 낮은 광투과도 특성을 갖는 도전성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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제 7 항에 있어서,
상기 유기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 패턴의 가장자리 상부에서 상기 유전막의 상부면을 덮는 소오스/드레인 패턴들을 더 구비하되,
상기 소오스/드레인 패턴들은 상기 유전막 및 상기 유기 반도체층 사이로 연장되거나 상기 유기 반도체층의 가장자리 상부로 연장되는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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기판;
상기 기판 상에 배치된 유기 반도체층;
상기 유기 반도체층 상에 배치된 유전막; 및
상기 유전막 상에 배치되어 상기 기판의 상부로부터 입사되는 빛을 차단하는 게이트 패턴; 및
상기 유기 반도체층의 아래에 배치되어 상기 기판의 하부로부터 입사되는 빛을 차단하도록, 금속 원자의 산화물들, 금속 원자의 질화물들, 유기 절연막들, 그리고 폴리이미드 계열의 수지들 중에서, 5%이하의 광투과도 특성을 제공할 수 있도록 조합된 적어도 하나를 포함하는 하부 광차단막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치
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