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하기 화학식 1로 표시되는 폴리실록산을 포함하는 유기 게이트 절연막
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하기 화학식 2로 표시되는 폴리실록산 유도체를 포함하는 유기 게이트 절연막
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기판;상기 기판 상에 위치하는 소오스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극;상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에 개재하고, 하기 화학식 1로 표시되는 폴리실록산 또는 하기 화학식 2로 표시되는 폴리실록산 유도체를 포함하는 유기 게이트 절연막; 및상기 유기 게이트 절연막에 접하고, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극을 연결하는 유기 활성막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제 4 항에 있어서 상기 유기 게이트 절연막은 습식 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 7 항에 있어서,상기 습식 공정은 스핀 코팅, 딥 코팅, 프린트 코팅, 또는 잉크젯 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 4 항에 있어서,상기 유기 활성막은 펜타센(pentacene), DH6T(dihexyl-hexithiophene), 위치규칙적 P3HT(regioregular (poly(3-hexythiophene)), F8T2(poly-9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene), DHADT (dihexylanthra-dithiophene) 및 이들의 유도체 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 4 항에 있어서,상기 게이트 전극은 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 티타늄나이트라이드(TiN), 크롬(Cr) 및 이들의 조합 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제 4 항에 있어서,상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극은 금(Au), 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 이들의 조합 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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12
제 4 항에 있어서,상기 유기 게이트 절연막은 상기 게이트 전극 상에 위치하고, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 유기 게이트 절연막 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 12 항에 있어서,상기 유기 활성막은 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 게이트 절연막 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 12 항에 있어서,상기 유기 활성막은 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 상기 유기 게이트 절연막 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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