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열경화성을 갖는 고분자 수지,
상기 고분자 수지에 분산되어 있는 제1 온도를 용융점으로 가지는 솔더볼,
상기 고분자 수지에 분산되어 있고, 상기 제1 온도보다 높은 용융점을 가지는 제1 비전도성 볼, 그리고
상기 고분자 수지에 분산되어 있고, 상기 제1 온도보다 높은 용융점을 가지며, 상기 제1 비전도성 볼의 직경보다 작은 직경을 가지며, 상기 제1 비전도성 볼의 경도보다 큰 경도를 가지는 제2 비전도성 볼
을 포함하는 도전 접착제
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 제 1 비전도성 볼은 고분자 물질로 구성되고,
상기 제 2 비전도성 볼은 상기 제 1 비전도성 볼과 동일한 물질로 구성되거나 유리 종류의 물질로 구성되는 도전 접착제
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제 4항에 있어서,
상기 제 1 비전도성 볼은 PMMA(Polymethyl methacrylate), 폴리카보네이트(Polycarbonate) 또는 폴리스티렌(Polystyrene)으로 구성되는 도전 접착제
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반도체 칩을 기판에 결합하는 플립칩 본딩 방법에 있어서,
(a) 제1 온도를 용융점으로 가지는 솔더볼, 고분자 수지, 그리고 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도를 용융점으로 가지는 제 1 비전도성 볼 및 제 2 비전도성 볼을 포함하는 도전 접착제를 상기 기판 상에 제공하는 단계;
(b) 상기 반도체 칩의 전극과 상기 기판의 전극을 정렬하는 단계;
(c) 상기 제 1 온도보다 높은 온도에서 상기 반도체 칩과 상기 기판 사이에 소정의 제 1 압력을 가하는 단계; 및
(d) 상기 제 2 온도보다 높은 온도에서 상기 반도체 칩과 상기 기판 사이에 상기 제 1 압력보다 높은 제 2 압력을 가하는 단계
를 포함하고, 상기 제 2 비전도성 볼은 상기 제 1 비전도성 볼의 직경보다 작은 직경을 가지는 플립칩 본딩 방법
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제 6항에 있어서,
상기 제 2 비전도성 볼의 경도는 상기 제 1 비전도성 볼의 경도보다 큰 플립칩 본딩 방법
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제 6항에 있어서,
상기 제 1 압력은 상기 제 1 비전도성 볼의 변형압력 미만인 플립칩 본딩 방법
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제 6항에 있어서,
상기 제 2 압력은 상기 제 1 비전도성 볼의 변형압력 이상이고 상기 제 2 비전도성 볼의 변형압력 미만인 플립칩 본딩 방법
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제 6항에 있어서,
상기 고분자 수지는 열경화성 수지이고,
상기 제 2 온도보다 높은 온도는 상기 고분자 수지의 열경화 온도 이상인 플립칩 본딩 방법
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제 6항에 있어서,
상기 제 1 온도보다 높은 온도는 155℃ 내지 165℃이고, 상기 제 2 온도보다 높은 온도는 179℃ 내지 181℃인 플립칩 본딩 방법
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제 6항에 있어서,
상기 제 1 압력은 100 g/cm2 내지 300 g/cm2이고, 상기 제 2 압력은 300 g/cm2 내지 600 g/cm2인 플립칩 본딩 방법
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반도체 칩을 기판에 결합하는 플립칩 본딩 방법에 있어서,
(a) 제1 온도를 용융점으로 가지는 솔더볼, 고분자 수지 및 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도를 용융점으로 가지는 비전도성 볼을 포함하는 도전 접착제를 상기 기판 상에 제공하는 단계;
(b) 상기 반도체 칩의 전극과 상기 기판의 전극을 정렬하는 단계;
(c) 상기 제1 온도보다 높은 온도에서 상기 반도체 칩과 상기 기판 사이에 제1 압력을 가하는 단계; 및
(d) 상기 제 2 온도보다 높은 온도에서 상기 반도체 칩과 상기 기판 사이에 제1 압력보다 높은 제2 압력을 가하는 단계
를 포함하는 플립칩 본딩 방법
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제 13항에 있어서,
상기 제1 압력은 상기 비전도성 볼의 변형압력 미만인 플립칩 본딩 방법
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제 13항에 있어서,
상기 고분자 수지는 열경화성 수지이고,
상기 제 2 온도보다 높은 온도는 상기 고분자 수지의 열경화 온도 이상인 플립칩 본딩 방법
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16
제 13항에 있어서,
상기 제 1 온도보다 높은 온도는 155℃ 내지 165℃이고, 상기 제 2 온도보다 높은 온도는 179℃ 내지 181℃인 플립칩 본딩 방법
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제 13항에 있어서,
상기 제2 압력은 300 g/cm2 내지 600 g/cm2인 플립칩 본딩 방법
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