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기판;
기판상에 산화물층과 금속층이 교대로 적층되어 있되, 상부층과 하부층은 산화물층인 투명 전도막; 및
상기 투명 전도막 상에 형성된 상부 기능층을 포함하는 다층 전자 소자에 있어서,
상기 상부 기능층과 접촉하는 상기 투명 전도막의 상부 산화물층은 접촉 저항이 감소되도록 패터닝된 접촉 부위를 갖는 것인 접촉저항을 개선한 다층 전자 소자
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제 1항에 있어서,
상기 접촉 저항이 감소되도록 패터닝된 접촉 부위는 상기 상부 기능층과 접촉하는 상기 투명 전도막의 상부 산화물층의 두께가 0 내지 10㎚로 감소되도록 패터닝된 접촉 부위를 갖는 것인 다층 전자 소자
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제 1항에 있어서,
상기 접촉 저항이 감소되도록 패터닝된 접촉 부위는 상부 기능층과 접촉하는 상기 투명 전도막의 상부 산화물층이 핑거 형태로 패터닝된 것인 다층 전자 소자
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기판;
기판상에 산화물층과 금속층이 교대로 적층되어 있되, 상부층과 하부층은 산화물층인 투명 전도막; 및
상기 투명 전도막 상에 형성된 상부 기능층을 포함하는 다층 전자 소자에 있어서,
상기 상부 산화물층은 2층 이상으로 구성하되, 금속층 상에 Al2O3 및 ZnO을 포함하는 산화물로 형성된 제 1 상부 산화물층 및 제 1 상부 산화물층 상에 SbOx와 SnO2; ZnO와 SnO2; ZnO, Al2O3와 SnO2; 및 ZnO, Al2O3, SnO2와 Sb2O3로 이루어진 군에서 선택된 산화물로 형성된 제 2 상부 산화물층을 포함하는 다층 전자 소자
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제 4항에 있어서, 상기 제 1 상부 산화물층은 두께는 상부 산화물층의 전체 두께에 대해 70 내지 90%에 해당하며, 제 2 상부 산화물층의 두께는 상부 산화물층의 전체 두께에 대해 10 내지 30%에 해당하는 것인 다층 전자 소자
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6
제 4항에 있어서, 상기 제 1 상부 산화물층을 구성하는 산화물은 1 내지 5at%의 Al2O3 및 95 내지 99at%의 ZnO 조성을 갖는 조성물인 다층 전자 소자
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7
제 4항에 있어서,
상기 제 2 상부 산화물층을 구성하는 산화물은
1 내지 5at%의 SbOx 및 95 내지 99at%의 SnO2의 조성을 갖는 산화물,
50 내지 95at%의 ZnO 및 5 내지 50at%의 SnO2의 조성을 갖는 산화물,
60 내지 90at%의 ZnO, 0
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8
기판 상에 산화물층과 금속층이 교대로 적층되어 있되, 상부층과 하부층은 산화물층인 투명 전도막을 형성하는 단계;
상기 투명 전도막의 상부 산화물층의 상부 기능층과 접촉하는 접촉 부위를 접촉 저항을 감소시키도록 패터닝하는 단계; 및
상기 투명 전도막이 형성된 기판 상에 상부 기능층을 형성하는 단계를 포함하는 다층 전자 소자의 제조방법
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9
제 8항에 있어서, 상기 접촉 저항을 감소시키도록 패터닝하는 단계는 상기 상부 산화물층의 상부 기능층과의 접촉 부위의 두께가 0 내지 10㎚로 감소되도록 패터닝하는 다층 전자 소자의 제조방법
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10
제 8항에 있어서, 상기 접촉 저항을 감소시키도록 패터닝하는 단계는 상기 상부 산화물층의 상부 기능층과의 접촉 부위를 핑커 형태로 패터닝하는 것인 다층 전자 소자의 제조방법
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11
제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 패터닝은 하부 산화물층과 금속층이 동일한 수준의 식각 속도를 갖게 하고, 상부 산화물층이 하부 산화물층과 금속층의 식각 속도보다 빠른 식각 속도를 갖게 하여 상부 산화물층에 대해서만 사이드 에칭이 일어나게 하는 것으로 수행되는 다층 전자 소자의 제조방법
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12
기판 상에 산화물층과 금속층이 교대로 적층되어 있되, 상부층과 하부층은 산화물층인 투명 전도막을 형성하는 단계; 및
상기 투명 전도막이 형성된 기판 상에 상부 기능층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 투명 전도막의 상부 산화물층은 금속층 상에 Al2O3 및 ZnO을 포함하는 산화물로 제 1 상부 산화물층을 형성하고, 제 1 상부 산화물층 상에 SbOx와 SnO2; ZnO와 SnO2; ZnO, Al2O3와 SnO2; 및 ZnO, Al2O3, SnO2와 Sb2O3로 이루어진 군에서 선택된 산화물로 제 2 상부 산화물층을 형성하는 것으로 형성되는 것인 다층 전자 소자의 제조방법
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13
제 12항에 있어서, 상기 제 1 상부 산화물층은 상부 산화물층의 전체 두께에 대해 70 내지 90%에 해당하는 두께로 형성되고, 제 2 상부 산화물층은 상부 산화물층의 전체 두께에 대해 10 내지 30%에 해당하는 두께로 형성되는 것인 다층 전자 소자의 제조방법
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