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바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015084356
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법은 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막 및 소스/드레인 전극을 차례로 형성하는 단계, 상기 소스/드레인 전극 사이에 유기물 반도체를 형성하는 단계, 그리고 상기 유기물 반도체를 표면처리하여 친수성의 채널을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 유기물 반도체 물질의 적절한 표면처리를 적용하여 다양한 검출액 중 특이적으로 결합하는 타겟 물질을 검출이 가능하며, 표면 개질을 통한 검출 특성을 향상시킬 수 있다. 유기 박막 트랜지스터, 유기물 반도체, 유기물 절연체, 항원, 항체, 폴리머, 바이오 센서, 산소 플라즈마, UV오존, 상압 플라즈마, 표면처리
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01) G01N 33/53 (2006.01)
CPC H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01)
출원번호/일자 1020080127210 (2008.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1050695-0000 (2011.07.14)
공개번호/일자 10-2010-0068749 (2010.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20110720) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상철 대한민국 대전광역시 유성구
2 김성현 대한민국 대전 유성구
3 양용석 대한민국 대전광역시 유성구
4 김진식 대한민국 대전 서구
5 윤두협 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0860589-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0004914-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0045145-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0196374-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0196403-54
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0381386-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
항원-항체 반응을 센싱하는 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막 및 소스/드레인 전극을 차례로 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극 사이에 유기물 반도체를 형성하는 단계; 및 상기 항원의 용제와의 접촉성을 향상시키도록 상기 유기물 반도체를 표면처리하여 친수성의 채널을 형성하는 단계 를 포함하는 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 표면처리하는 단계는 UV 오존 또는 상압 플라즈마 처리하는 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기물 반도체를 형성하는 단계는, 스핀 코팅법 또는 잉크젯 프린팅법을 통하여 형성하는 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 유기물 반도체는 유기물질의 전도성 주쇄 및 압타머 또는 라벨로 치환된 측쇄 를 포함하는 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 Al2O3, SiO2 또는 SiN의 무기 절연막인 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제3항에 있어서, 복수의 상기 바이오 센서용 트랜지스터는 대면적 기판에 어레이 형태로 형성되고, 상기 표면처리는 상기 복수의 바이오 센서용 트랜지스터의 상기 유기물 반도체를 각각 노출시키는 복수의 개구부를 갖는 플라스틱 또는 금속 마스크를 이용하여 수행되는 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 게이트 절연막에 상기 표면처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 바이오 센서용 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.