맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015085164
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 유기 박막 트랜지스터에서는 고유전율의 친수성 고분자와 저유전율의 소수성 고분자를 동시에 포함하는 이중 블록 공중합체가 라멜라 구조로 유기 절연막으로 사용되므로, 박막을 구현할 수 있어 문턱전압과 구동전압을 동시에 낮출 수 있다. 또한 이의 제조 방법에서는, 한번의 스핀 코팅에 의해 두가지 물성이 다른 고분자 절연막을 형성할 수 있으므로 공정을 단순화할 수 있다. 이중 블록 공중합체, 유기 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) B32B 27/28 (2006.01)
CPC H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01)
출원번호/일자 1020090027376 (2009.03.31)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1204338-0000 (2012.11.19)
공개번호/일자 10-2010-0066285 (2010.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080124026   |   2008.12.08
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.31)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노용영 대한민국 대전광역시 유성구
2 강석주 대한민국 광주광역시 북구
3 구재본 대한민국 대전광역시 유성구
4 유인규 대한민국 대전광역시 유성구
5 백강준 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0193378-26
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0401377-50
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0264126-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0491949-92
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0491950-38
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.21 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0493654-75
8 보정요구서
Request for Amendment		 2012.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0084958-50
9 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0099269-51
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0676422-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상의 유기 절연막;상기 유기절연막에 인접한 게이트 전극;상기 유기 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 대칭되는 활성층; 및상기 게이트 전극의 양측에 위치하며 상기 활성층과 접하는 소오스/드레인 전극을 포함하되,상기 유기 절연막은 라멜라(lamella) 구조를 형성하는 이중 블록 공중합체(diblock copolymer)를 포함하고, 상기 이중 블록 공중합체는 고유전율의 친수성 고분자와 저유전율의 소수성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 친수성 고분자는 폴리(4-비닐 페놀){poly (4-vinyl phenol) },폴리비닐 피리딘(polyvinyl pyridine), 폴리아크릴로니트릴(Polyacrylonitrile), 폴리클로로프렌(Polychloroprene), 폴리(비닐디렌 플로라이드){Poly(vinylidene fluoride)}, 및 폴리(비닐리덴 클로라이드){ Poly(vinylidene chloride)}를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 소수성 고분자는 폴리부타디엔(Polybutadiene), 폴리스티렌(Polystyrene), 폴리이소부틸렌(Polyisobutylene), 폴리(메틸 메타크릴레이트){Poly(methyl methacrylate)}, 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(Polychlorotrifluoroethylene), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene), 사이톱(CYTOPTM), 및 폴리프로필렌-코-부텐(Polypropylene-co-butene)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서,상기 친수성 고분자가 상기 이중 블록 공중합체에서 차지하는 부피분율은 0
6 6
제 1 항에 있어서,상기 활성층은 폴리(9, 9-디옥틸퓨오렌-코-바이티오펜){poly(9,9-dioctylfuorene-co-bithiophene)}, 폴리(3-헥실티오펜){poly(3-hexylthiophene)}, 폴리티오펜 (polythiophene), 싸이아노 티오펜 (thieno thiophene) , 트리이소프로필실릴 펜타센 (triisopropylsilyl pentacene), 펜타센 프리커서 (pentacene precursor) , 알파-6-티오펜, 폴리 플루오렌 (polyfluorene), 펜타센 (pentacene), 테트라센 (tetracene), 안트라센 (anthracene), 페릴렌 (perylene) , 루브렌 (rubrene), 코로렌 (coronene) , 페닐렌 테트라카르복실릭디이미드 (perylene tetracarboxylic diimide) , 폴리파라페닐렌 비닐렌 , 폴리티오펜비닐렌 , 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 , 금속을 함유하거나 함유하지 않는 프탈로시아닌, 및 나프탈렌 테트라 카르복시산 디이미드를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나 또는 이의 유도체인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
7 7
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극과 소오스/드레인 전극은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 인듐틴 산화물(ITO), PEDOT:PSS (polyethylenedioxythiophene:polystyrene sulfonate), 폴리 피롤 (polypyrrole), 및 폴리아닐린 (polyaniline)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
8 8
기판 상에 이중 블록 공중합체를 포함하는 용액을 스핀코팅(Spin coating)하는 단계; 상기 기판을 열처리하여 상기 기판 상에 라멜라 구조의 이중 블록 공중합체를 포함하는 유기 절연막을 형성하는 단계;상기 유기절연막에 인접한 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 유기 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 대칭되는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극의 양측에 위치하며 상기 활성층과 접하는 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 이중 블록 공중합체를 포함하는 용액은 고유전율의 친수성 고분자와 블록과 저유전율의 소수성 고분자를 용매에 녹임으로써 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 친수성 고분자는 폴리(4-비닐 페놀){poly (4-vinyl phenol) },폴리비닐 피리딘(polyvinyl pyridine), 폴리아크릴로니트릴(Polyacrylonitrile), 폴리클로로프렌(Polychloroprene), 폴리(비닐디렌 플로라이드){Poly(vinylidene fluoride)}, 및 폴리(비닐리덴 클로라이드){ Poly(vinylidene chloride)}를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 소수성 고분자는 폴리부타디엔(Polybutadiene), 폴리스티렌(Polystyrene), 폴리이소부틸렌(Polyisobutylene), 폴리(메틸 메타크릴레이트){Poly(methyl methacrylate)}, 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(Polychlorotrifluoroethylene), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene), 사이톱(CYTOPTM), 및 폴리프로필렌-코-부텐(Polypropylene-co-butene)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 용매는 유기용매인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 유기용매는 PGMEA(Propylene Glycol Meathyl Ether Acetate)인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
14 14
제 9 항에 있어서,상기 친수성 고분자와 상기 소수성 고분자는 상기 용매에 2 중량%~10 중량%로 용해되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
15 15
제 8 항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계는, 상기 이중 블록 공중합체의 유리전이온도(Tg) 이상 분해온도(decomposition temperatures, Td) 미만의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
16 16
제 9 항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계는, 상기 이중 블록 공중합체의 유리전이온도(Tg) 이하의 온도에서 상기 용매의 증기를 포함하는 분위기 하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
17 17
제 9 항에 있어서,상기 기판을 열처리하는 단계는 상기 용매를 증발시키고 상기 이중 블록 공중합체가 라멜라 구조를 형성하게 만드는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
18 18
제 9 항에 있어서,상기 친수성 고분자가 상기 이중 블록 공중합체에서 차지하는 부피분율은 0
19 19
제 8 항에 있어서,상기 활성층은 폴리(9, 9-디옥틸퓨오렌-코-바이티오펜){poly(9,9-dioctylfuorene-co-bithiophene)}, 폴리(3-헥실티오펜){poly(3-hexylthiophene)}, 폴리티오펜 (polythiophene), 싸이아노 티오펜 (thieno thiophene) , 트리이소프로필실릴 펜타센 (triisopropylsilyl pentacene), 펜타센 프리커서 (pentacene precursor) , 알파-6-티오펜, 폴리 플루오렌 (polyfluorene), 펜타센 (pentacene), 테트라센 (tetracene), 안트라센 (anthracene), 페릴렌 (perylene) , 루브렌 (rubrene), 코로렌 (coronene) , 페닐렌 테트라카르복실릭디이미드 (perylene tetracarboxylic diimide) , 폴리파라페닐렌 비닐렌 , 폴리티오펜비닐렌 , 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 , 금속을 함유하거나 함유하지 않는 프탈로시아닌, 및 나프탈렌 테트라 카르복시산 디이미드를 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나 또는 이의 유도체인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
20 20
제 8 항에 있어서,상기 게이트 전극과 소오스/드레인 전극은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 인듐틴 산화물(ITO), PEDOT:PSS (polyethylenedioxythiophene:polystyrene sulfonate), 폴리 피롤 (polypyrrole), 및 폴리아닐린 (polyaniline)을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100140596 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010140596 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 개별물품 단위 응용을 위한 차세대 RFID 기술 개발