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반도체 소자의 제조방법

기술번호 : KST2015085525
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 제 1 기판 상에 활성 층을 형성하는 단계; 상기 활성 층의 상부 면과 제 2 기판을 접합시키고, 상기 제 1 기판으로부터 상기 활성 층을 분리하는 단계; 상기 제 2 기판에 접합된 상기 활성 층의 소스/드레인 영역들에 대응되는 도전성 불순물 영역들을 형성하는 단계; 상기 활성 층의 하부 면에 제 3 기판에 접합시키고 상기 제 2 기판을 제거하는 단계; 및 상기 제 3 기판에 접합된 상기 활성 층의 상기 도전성 불순물 영역들 사이의 상부에 게이트 전극을 형성하고, 상기 도전성 불순물 영역들 상에 소스/드레인 전극들을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.이온(ion), 활성(active), 플라스틱(plastic), 게이트(gate), 플렉시블(flexible)
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01)
CPC	H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01)
출원번호/일자	1020090098243 (2009.10.15)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1215305-0000 (2012.12.18)
공개번호/일자	10-2011-0041184 (2011.04.21) 문서열기
공고번호/일자	(20121226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.10.15)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	구재본	대한민국	대전광역시 유성구
2	강승열	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.10.15	수리 (Accepted)	1-1-2009-0632306-81
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.10.23	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.11.15	수리 (Accepted)	9-1-2012-0085338-02
4	등록결정서 Decision to grant	2012.11.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0726101-95
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 기판 상에 활성 층을 형성하는 단계;상기 활성 층의 상부 면과 제 2 기판을 접합시키고, 상기 제 1 기판으로부터 상기 활성 층을 분리하는 단계;상기 제 2 기판에 접합된 상기 활성 층의 소스/드레인 영역들에 대응되는 도전성 불순물 영역들을 형성하는 단계;상기 활성 층의 하부 면에 제 3 기판에 접합시키고 상기 제 2 기판을 제거하는 단계; 및상기 제 3 기판에 접합된 상기 활성 층의 상기 도전성 불순물 영역들 사이의 상부에 게이트 전극을 형성하고, 상기 도전성 불순물 영역들 상에 소스/드레인 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 활성 층을 형성하는 단계는 상기 제 1 기판의 내부에 소정 깊이의 이온주입 층을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 이온주입 층을 형성 한 후, 상기 활성 층 상에 상기 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 활성 층과 상기 게이트 전극 사이에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
5	5 제 3 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 티타늄 또는 질화 티타늄을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
6	6 제 2 항에 있어서, 상기 활성 층을 분리하는 단계는 상기 이온주입 층을 열처리하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 활성 층의 상부 면과 상기 제 2 기판을 접합하는 것은 상기 활성 층의 상부 표면과 상기 제 2 기판 사이에 제 1 절연 층을 개재하여 수행됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 기판의 제거 시에 상기 제 1 절연 층을 제거하지 않고 잔존하는 상기 제 1 절연 층을 게이트 절연막으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 활성 층의 하부 표면과 상기 제 3 기판은 접착제 층을 이용하여 접합하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조방법
10	10 제 1 항에 있어서,상기 제 3 기판 상의 상기 활성 층 상에 형성되는 상기 게이트 전극과, 상기 소스/드레인 전극들을 구비하는 박막트랜지스터들을 각각 아일랜드시키는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
11	11 제 10 항에 있어서,상기 활성 층 및 상기 제 3 기판 상에 제 2 절연 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
12	12 제 11 항에 있어서,상기 제 2 절연 층을 관통하면서 상기 도전성 불순물 영역들과 상기 소스/드레인 전극들을 연결시키는 콘택 플러그를 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20110092032	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2011092032	US	미국	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	한국전자통신연구원	IT원천기술개발	모바일 플렉시블 입출력 플랫폼

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1215305-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20091015 출원 번호 : 1020090098243 공고 연월일 : 20121226 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121129 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 반도체 소자의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20171219

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2012년 12월 20일	납입
제 4 년분	금 액	212,800 원	2015년 11월 27일	납입
제 5 년분	금 액	212,800 원	2016년 11월 21일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.10.15	수리 (Accepted)	1-1-2009-0632306-81
2	선행기술조사의뢰서	2012.10.23	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2012.11.15	수리 (Accepted)	9-1-2012-0085338-02
4	등록결정서	2012.11.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0726101-95
5	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415100601
세부과제번호	KI001916
연구과제명	모바일플렉시블입출력플랫폼
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2009
연구기간	200803~201302
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1415100601
세부과제번호	KI001916
연구과제명	모바일플렉시블입출력플랫폼
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2009
연구기간	200803~201302
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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