기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

반도체 소자의 제조방법

기술번호 : KST2015085875
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 실리콘 산화막의 매몰 절연막 상에 활성 층이 형성된 SOI 기판에 실리콘 질화막 재질의 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 양측의 상기 활성 층에 소스/드레인 영역을 형성한 후, 상기 게이트 전극 및 상기 소스/드레인 영역을 포함하는 박막트랜지스터의 주변에 형성된 상기 매몰 절연막을 노출시키고, 상기 박막트랜지스터를 상기 제 1 기판으로부터 분리하기 위해 상기 매몰 절연막을 식각하여 언더 컷을 형성하는 과정에서 사용되는 식각 용액으로부터 게이트 절연막이 보호될 수 있기 때문에 생산수율을 향상시킬 수 있다. SOI(silicon on insulator), 게이트(gate), 기판, 매몰, 절연막
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01)
CPC	H01L 27/1266(2013.01)H01L 27/1266(2013.01)H01L 27/1266(2013.01)H01L 27/1266(2013.01)H01L 27/1266(2013.01)H01L 27/1266(2013.01)H01L 27/1266(2013.01)
출원번호/일자	1020090120620 (2009.12.07)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1221871-0000 (2013.01.08)
공개번호/일자	10-2011-0064149 (2011.06.15) 문서열기
공고번호/일자	(20130115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.12.07)
심사청구항수	20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	구재본	대한민국	대전광역시 유성구
2	강승열	대한민국	대전광역시 유성구
3	유인규	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.12.07	수리 (Accepted)	1-1-2009-0754588-66
2	등록결정서 Decision to grant	2012.12.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0776360-19
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 매몰 절연막 상에 활성 층이 형성된 제 1 기판을 제공하는 단계;상기 활성 층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 양측의 상기 활성 층에 소스/드레인 영역을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 및 상기 소스/드레인 영역을 포함하는 박막트랜지스터의 주변에 형성된 상기 매몰 절연막을 노출시키는 단계;상기 매몰 절연막의 일부를 제거하여 상기 박막트랜지스터 하부에 언더 컷을 형성하는 단계; 및상기 박막트랜지스터를 제 2 기판 상에 전이하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막과 상기 매몰 절연막은 서로 다른 종류의 절연막 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 매몰 절연막은 실리콘 산화막으로 형성되고, 상기 게이트 절연막은 실리콘 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
4	4 제 3 항에 있어서, 매몰 절연막을 노출시키는 단계는, 상기 박막트랜지스터의 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 게이트 절연막을 식각하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 건식식각방법으로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 건식식각방법은 불화탄소계 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
7	7 제 4 항에 있어서, 상기 매몰 절연막은 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 게이트 절연막을 식각 마스크로 사용하는 습식식각방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 매몰 절연막의 상기 습식식각방법은 완충 불산 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 매몰 절연막을 식각한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 하드 베이크하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 스탬프에 고정하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 스탬프는 상기 포토레지스트 패턴에 접촉되는 면에 PDMS(Polydimethylsiloxane)가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
12	12 제 10 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 스탬프에 고정되기 전에 자외선에 노광되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
13	13 제 10 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 박막트랜지스터가 상기 제 2 기판에 전이된 후 현상액에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
14	14 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막과 상기 게이트 전극은 상기 활성 층 상에 게이트 스택으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 소스/드레인 영역을 형성 한 후 상기 게이트 전극 및 상기 활성 영역 상에 상기 매몰 절연막과 서로 다른 종류의 재질로 이루어진 층간 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
16	16 제 15 항에 있어서, 상기 매몰 절연막은 실리콘 산화막으로 형성되고, 상기 층간 절연막은 실리콘 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
17	17 제 15 항에 있어서, 상기 매몰 절연막을 노출시키는 단계는,상기 박막트랜지스터 상부의 상기 층간 절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 층간 절연막을 식각하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
18	18 제 17 항에 있어서, 상기 층간 절연막은 건식식각방법으로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
19	19 제 17 항에 있어서, 상기 매몰 절연막은, 상기 포토레지스트 패턴 및 층간 절연막을 식각 마스크로 사용한 습식식각방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
20	20 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막이 형성되기 전에 상기 활성 층을 분리시키는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08198148	US	미국	FAMILY
2	US20110136296	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2011136296	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US8198148	US	미국	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	한국전자통신연구원	IT원천기술개발	모바일 플렉시블 입출력 플랫폼

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1221871-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20091207 출원 번호 : 1020090120620 공고 연월일 : 20130115 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121220 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 반도체 소자의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180109

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	412,500 원	2013년 01월 09일	납입
제 4 년분	금 액	336,000 원	2015년 12월 28일	납입
제 5 년분	금 액	336,000 원	2016년 12월 28일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.12.07	수리 (Accepted)	1-1-2009-0754588-66
2	등록결정서	2012.12.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0776360-19
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415100601
세부과제번호	KI001916
연구과제명	모바일플렉시블입출력플랫폼
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2009
연구기간	200803~201302
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020090131478]	습기 및 산소 배리어 기판 및 음식 포장재를 위한 플렉시블 박막 제조 방법	새창보기
[1020090126238]	금속 전극 제조 방법	새창보기
[1020090123350]	플라스틱 기판 및 그 제조 방법	새창보기
[1020090123339]	그래핀 박막의 증착방법	새창보기
[1020090120621]	전이 박막트랜지스터 및 그의 제조방법	새창보기
[1020090120620]	반도체 소자의 제조방법	새창보기
[1020090112664]	전자 잉크의 제조 방법, 이에 의해 형성된 전자잉크 및 이를 포함하는 전기영동 디스플레이	새창보기
[1020090098243]	반도체 소자의 제조방법	새창보기
[1020090087458]	플렉서블 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 소자	새창보기
[1020090084037]	솔리드형 방열 장치	새창보기
[1020090030267]	강압 변환 시스템 및 그것의 강압 변환 방법	새창보기
[1020090028882]	전하 재활용을 이용한 반도체 메모리 장치	새창보기
[1020080117467]	포화알코올 분산매를 포함하는 폴리우레아 마이크로 캡슐의제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로캡슐	새창보기
[1020080117461]	전기유변유체 마이크로캡슐을 포함하는 투과도가변필름 및 이의 제조 방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2014032117][한국전자통신연구원]	채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터	새창보기
[KST2016015721][한국전자통신연구원]	반도체 소자 및 이를 제조하는 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME)	새창보기
[KST2015051641][한국전자통신연구원]	ＺｎＯＴＦＴ의 제조방법	새창보기
[KST2016006572][한국전자통신연구원]	전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법(A METHOD OF FABRICATING A TRANSITION METAL CHALCOGENIDE THIN FILM)	새창보기
[KST2014045104][한국전자통신연구원]	멤리스터 장치 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015048897][한국전자통신연구원]	박막트랜지스터를 이용한 ＣＭＯＳ소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2016007471][한국전자통신연구원]	디스플레이 장치(Display unit)	새창보기
[KST2015096632][한국전자통신연구원]	트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2016014457][한국전자통신연구원]	박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Thin film transistor and method for fabricating the same)	새창보기
[KST2015084842][한국전자통신연구원]	ＺＴＯ 박막의 제조방법, 이를 적용한 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015064290][한국전자통신연구원]	박막트랜지스터 및 그의 제조방법	새창보기
[KST2015063889][한국전자통신연구원]	박막 트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2014045113][한국전자통신연구원]	박막 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015055563][한국전자통신연구원]	박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2015065272][한국전자통신연구원]	빛과 전압 스트레스에 강한 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2014024125][한국전자통신연구원]	IMOD 디스플레이 구동을 위한 산화물 TFT 기술	새창보기
[KST2014030138][한국전자통신연구원]	산화물 TFT 기술	새창보기
[KST2014032291][한국전자통신연구원]	비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015090751][한국전자통신연구원]	박막 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015087698][한국전자통신연구원]	ＺｎＯ 박막을 포함하는 트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015067634][한국전자통신연구원]	박막 트랜지스터	새창보기
[KST2016016860][한국전자통신연구원]	산화물 반도체 소자(OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE)	새창보기
[KST2015090785][한국전자통신연구원]	박막 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015087931][한국전자통신연구원]	건식 식각 공정을 이용한 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015083103][한국전자통신연구원]	유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터	새창보기
[KST2015070596][한국전자통신연구원]	산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법	새창보기
[KST2014045205][한국전자통신연구원]	유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스터 제조 방법	새창보기
[KST2015069848][한국전자통신연구원]	산화물 반도체막의 형성 방법	새창보기
[KST2015031201][한국전자통신연구원]	유기물 반도체 소자의 엔캡슐레이션 박막 및 그 제조방법	새창보기
[KST2014045267][한국전자통신연구원]	투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.