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주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기들 및 듀얼 파장 레이저의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015087181
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 예에 따른 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기는, 하나의 기판에 제작된 두 개의 분포 궤환 레이저들을 갖고, 상기 분포 궤환 레이저들 각각은 서로 다른 파장의 광신호들을 출력하는 듀얼 파장 레이저, 및 상기 출력된 광신호들을 입력받아 테라헤르츠파를 발생하는 광학기를 포함한다. 본 발명에 따른 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기 및 듀얼 파장 레이저의 제작 방법은, 초소형으로 제작가능하고, 제작 비용을 크게 줄일 수 있다.
Int. CL H01S 3/05 (2006.01) H01S 5/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100091821 (2010.09.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1145778-0000 (2012.05.07)
공개번호/일자 10-2012-0030186 (2012.03.28) 문서열기
공고번호/일자 (20120516) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.17)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0608771-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0061439-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0531021-88
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0905901-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0905900-76
7 등록결정서
Decision to grant
2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0252798-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나의 기판에 제작된 두 개의 분포 궤환 레이저들을 갖고, 상기 분포 궤환 레이저들 각각은 서로 다른 파장의 광신호들을 출력하는 듀얼 파장 레이저; 및상기 출력된 광신호들을 입력받아 테라헤르츠파를 발생하는 광학기를 포함하고,상기 광학기는,상기 듀얼 파장 레이저로부터 출력되는 상기 광신호들을 결합하는 렌즈; 및상기 결합된 광신호들을 입력받아 상기 테라헤르츠파를 발생하는 포토믹서를 포함하는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
2 2
제 1 항에 있어서,상기 분포 궤환 레이저들 각각은,광신호를 발생하는 활성층;상기 활성층에 커플링되고, 유효 굴절률에 따라 상기 발생된 광신호를 발진하는 블래그 회절 격자; 및상기 활성층으로부터 출력된 광신호를 상기 광학기로 출력하는 수동 도파로를 포함하는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
3 3
제 2 항에 있어서,상기 유효 굴절률을 제어하기 위한 마이크로히터를 더 포함하는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
4 4
제 3 항에 있어서,상기 마이크로히터로 상기 분포 궤환 레이저들 각각의 상기 유효 굴절률을 국소적으로 제어하기 위하여 상기 분포 궤환 레이저들 사이에 열 확산 방지 영역을 더 포함하는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
5 5
제 2 항에 있어서,상기 분포 궤환 레이저들 각각의 활성층으로부터 출력되는 광신호는 하나의 수동 도파로를 통하여 출력되는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
6 6
제 2 항에 있어서,상기 분포 궤환 레이저들 각각의 활성층으로부터 출력되는 광신호는 대응하는 수동 도파로를 통하여 출력되는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
7 7
제 6 항에 있어서,단면 반사율을 낮추고, 광결합 효율을 높이기 위하여, 상기 분포 궤환 레이저들의 수동 도파로들은 서로 7도 기울어지는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
8 8
제 2 항에 있어서,상기 분포 궤환 레이저들 각각은 단면 반사율을 조절하기 위한 고반사막 혹은 무반사막을 더 포함하는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
9 9
제 2 항에 있어서,상기 활성층과 상기 수동 도파로는 버트 커플링(Butt coupling)을 이용하여 결합되는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
10 10
제 9 항에 있어서,상기 활성층과 상기 수동 도파로 사이의 단면에서 발생하는 내부 반사율을 제어하기 위하여 결합 각도가 조절되는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
11 11
제 10 항에 있어서,상기 수동 도파로는 직선 및 밴드 구조인 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
12 12
삭제
13 13
제 1 항에 있어서,상기 포토믹서는,외부로부터 입력된 테라헤르츠파를 검출하는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
14 14
하나의 기판에 제작된 두 개의 분포 궤환 레이저들을 갖고, 상기 분포 궤환 레이저들 각각은 서로 다른 파장의 광신호들을 출력하는 듀얼 파장 레이저;상기 출력된 광신호들을 입력받아 테라헤르츠파를 발생하거나, 외부로부터 입력된 테라헤르츠파를 검출하는 광학기; 및상기 광학기로부터 검출된 테라헤르츠파를 디지털 신호로 변환하는 아날로그 디지털 변환기를 포함하고,상기 광학기는,상기 출력된 광신호들을 결합하는 렌즈;상기 렌즈에 결합된 신호들을 입력받아 테라헤르츠파를 발생하는 제 1 포토믹서; 및외부로부터 입력되는 테라헤르츠파를 검출하는 제 2 포토믹서를 포함하는 주파수 가변형 테라헤르츠 송수신기
15 15
삭제
16 16
하나의 기판에 제작된 두 개의 독립적인 분포 궤환 레이저들을 갖는 듀얼 파장 레이저의 제작 방법에 있어서;상기 기판 위에 하부 클래드층을 형성하고, 상기 하부 클래드층 사이에 하부 회절 격자층을 개재하고, 상기 하부 클래드층 상부에 활성층을 형성하고, 상기 활성층 상부에 상부 클래드층을 형성하고, 상기 상부 클래드층 사이에 상부 회절 격자층을 개재하는 단계;상기 하부 회절 격자층 및 상기 하부 회절 격자층을 식각하여 회절 격자를 제작하는 단계;상기 활성층과 수동 도파로를 집적화시키는 단계; 및상기 상부 클래드층 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼 파장 레이저의 제작 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 활성층과 상기 상부 클래드층 사이에 상기 활성층보다 작은 밴드갭 파장을 갖는 제 1 분리한정 헤테르층을 형성하고,상기 활성층과 상기 하부 클래드층 사이에 상기 활성층보다 작은 밴드갭 파장을 갖는 제 2 분리한정 헤테르층을 형성하는 단계를 더 포함하는 듀얼 파장 레이저의 제작 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 회절 격자를 홀로그래피 및 전자선 리소그래피로 제작한 후에, 상기 회절 격자 상부에 상기 상부 클래드층과 동일한 물질로 재성장시킴으로써 평단화 과정을 수행하는 단계를 더 포함하는 듀얼 파장 레이저의 제작 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 수동 도파로를 집적화시킨 후에, 상기 상부 클래드층 상부에 p형 반도체층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 듀얼 파장 레이저의 제작 방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는,상기 p형 반도체층 상부에, 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 상부에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상부에 리소그래피 기법을 이용하여 마이크로히터를 제작하는 단계를 포함하는 듀얼 파장 레이저의 제작 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08649414 US 미국 FAMILY
2 US09236711 US 미국 FAMILY
3 US20120068090 US 미국 FAMILY
4 US20140154822 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012068090 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2014154822 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8649414 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9236711 US 미국 DOCDBFAMILY
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