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이종 접합을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015087376
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 게이트 전극의 누설 전류를 방지할 수 있는 이종 접합을 가지는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 HEMT의 제조방법은 절연 기판상부에 GaN 성분을 포함하는 반절연층을 형성하고, 상기 반절연층 상부에 반도체층을 형성한다음, 상기 반도체층 상부의 소정 부분에 저온 증착 방식에 의해 AlON층을 형성한다. 상기 AlON층 양측의 반도체층 상부에 오믹 콘택층을 형성하고, 상기 AlON층 상부에 쇼트키 콘택층을 형성한다. GaN, HEMT, MISFET, AlON
Int. CL H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020030087255 (2003.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0590763-0000 (2006.06.09)
공개번호/일자 10-2005-0053992 (2005.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20060615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배성범 대한민국 대구광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2003-0462301-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0041982-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0423496-98
5 의견서
Written Opinion		 2005.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-0624746-75
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0624749-12
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0127482-28
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0009490-08
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0261647-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연 기판상부에 GaN 성분을 포함하는 반절연층을 형성하는 단계; 상기 반절연층 상부에 AlGaN으로 된 반도체층을 형성하는 단계; 상기 AlGaN과 직접 접촉하도록 상기 AlGaN 상부의 소정 부분에 200 내지 500℃의 저온에서 AlON층을 형성하는 단계;상기 AlON층을 열처리하는 단계; 상기 AlON층 양측의 반도체층 상부에 오믹 콘택층을 형성하는 단계; 및 상기 AlON층 상부에 쇼트키 콘택층을 형성하는 단계를 포함하는 HEMT의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반절연층은 SI-GaN인 것을 특징으로 하는 HEMT의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 반절연층 및 반도체층은 MOCVD 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 AlON층은 ALD, PEALD, 스퍼터링 및 전자빔 이베포레이션 방법중 선택되는 하나의 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 AlON층은 10 내지 1000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 열처리 단계는 300 내지 800℃의 온도에서 0
8 7
제 1 항에 있어서, 상기 열처리 단계는 300 내지 800℃의 온도에서 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.