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게이트 절연막의 형성 방법

기술번호 : KST2015087728
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 200℃ 이하의 공정온도에서 플라즈마를 이용하여 플라즈마 산화막을 미세하게 형성한 후 ALD산화막을 증착시켜 게이트 절연막으로 이용하는 게이트 절연막 형성방법을 개시한다. 본 발명은 특히 플라스틱과 같이 열에 취약한 기판을 사용하는 디스플레이의 구동소자에 적용할 수 있고 계면 특성이 우수하면서 고유전막의 적용이 가능하게 된다. 플라즈마 산화막, 게이트 절연막,
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020030096042 (2003.12.24)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0575092-0000 (2006.04.24)
공개번호/일자	10-2005-0064570 (2005.06.29) 문서열기
공고번호/일자	(20060503) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.12.24)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	임정욱	대한민국	대전광역시유성구
2	윤선진	대한민국	대전광역시유성구
3	이진호	대한민국	대전광역시유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.12.24	수리 (Accepted)	1-1-2003-0493252-13
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.08.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.09.15	수리 (Accepted)	9-1-2005-0058897-37
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.09.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0461709-19
5	지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period	2005.11.18	수리 (Accepted)	1-1-2005-0663108-14
6	의견서 Written Opinion	2005.12.19	수리 (Accepted)	1-1-2005-0741929-90
7	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.12.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0741910-23
8	등록결정서 Decision to grant	2006.04.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0224997-27
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 상부에, 200 ℃ 이하의 공정온도에서 플라즈마를 이용하여 플라즈마 산화막을 형성하는 단계; 및 200 ℃ 이하의 공정온도에서, 원자층 증착법 또는 플라즈마 원자층 증착법으로 ALD 산화막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 산화막 및 ALD 산화막은 인-시튜로 증착하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 ALD산화막을 증착한 이후에, 고유전막 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
4	4 제 2 항에 있어서, 상기 고유전막은 Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, 또는 이들과 SiO2가 결합된 실리케이트층인 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
5	5 제 3 항에 있어서, 상기 플라즈마 산화막, 상기 ALD 산화막 및 상기 고유전막은 인-시튜로 증착하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 산화막은 2-10 nm의 두께로, 상기 ALD산화막은 50-150nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
7	7 실리콘 상부에, 200 ℃ 이하의 공정온도에서 플라즈마를 이용하여 플라즈마 산화막을 형성하는 단계; 200 ℃ 이하의 공정온도에서, 원자층 증착법 또는 플라즈마 원자층 증착법으로 고유전막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 고유전막은 Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, 또는 이들과 SiO2가 결합된 실리케이트층인 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 플라즈마 산화막 및 고유전막은 인-시튜로 증착하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
10	10 제 7 항에 있어서, 상기 플라즈마 산화막은 2-10 nm의 두께로, 상기 고유전막은 50-150nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
11	11 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 실리콘은 폴리실리콘 또는 비정질 실리콘인 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 실리콘은 플라스틱 기판 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법
13	12 제 11 항에 있어서, 상기 실리콘은 플라스틱 기판 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 게이트 절연막의 형성방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US07662683	US	미국	FAMILY
2	US20050142712	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2005142712	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US7662683	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0575092-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20031224 출원 번호 : 1020030096042 공고 연월일 : 20060503 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060421 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 게이트 절연막의 형성 방법 존속기간(예정)만료일 : 20120425

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	364,500 원	2006년 04월 25일	납입
제 4 년분	금 액	304,000 원	2009년 04월 02일	납입
제 5 년분	금 액	304,000 원	2010년 04월 01일	납입
제 6 년분	금 액	238,000 원	2011년 04월 11일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.12.24	수리 (Accepted)	1-1-2003-0493252-13
2	선행기술조사의뢰서	2005.08.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2005.09.15	수리 (Accepted)	9-1-2005-0058897-37
4	의견제출통지서	2005.09.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0461709-19
5	지정기간연장신청서	2005.11.18	수리 (Accepted)	1-1-2005-0663108-14
6	의견서	2005.12.19	수리 (Accepted)	1-1-2005-0741929-90
7	명세서등보정서	2005.12.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0741910-23
8	등록결정서	2006.04.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0224997-27
9	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
10	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1440000490
세부과제번호	iitaA1-03-0036-00
연구과제명	차세대디스플레이기술개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	지식경제부
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2003
연구기간	200302~200601
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

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