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도펀트 화학종을 포함하는 금속 산화물 전구체 용액을 준비하는 것;
염기성 화학종을 포함하는 알코올계 용액을 준비하는 것;
상기 금속 산화물 전구체 용액 및 상기 알코올계 용액을 반응시켜 반응물을 형성하는 것; 및
상기 반응물을 정제하여 금속산화물을 형성하는 것을 포함하는 금속 산화물 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 도펀트 화학종은 갈륨(Ga), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 인(P) 및 비소(As) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화물 형성 방법
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제 2 항에 있어서,
상기 도펀트 화학종은 상기 금속 산화물 전구체 용액의 0
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제 2 항에 있어서,
상기 도펀트 화학종은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 이리듐(Ir) 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 금속 산화물 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 기판 상에 금속산화물 반도체층을 형성하는 것은:
상기 기판을 회전시키는 것; 및
회전되는 상기 기판 상에 상기 금속 산화물을 도포하는 것을 포함하는 금속 산화물 형성 방법
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6
도펀트 화학종을 포함하는 금속 산화물 전구체 용액을 준비하는 것;
염기성 화학종을 포함하는 알코올계 용액을 준비하는 것;
상기 금속 산화물 전구체 용액 및 상기 알코올계 용액을 반응시켜 반응물을 형성하는 것;
상기 반응물을 정제하여 금속산화물을 형성하는 것; 및
상기 금속산화물로 기판 상에 트랜지스터 구조체의 채널형성막으로 사용되는 금속산화물 반도체층을 형성하는 것을 포함하는 트랜지스터 구조체 형성 방법
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7
제 6 항에 있어서,
상기 도펀트 화학종은 갈륨(Ga), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 인(P) 및 비소(As) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 트랜지스터 구조체 형성 방법
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8
제 7 항에 있어서,
상기 도펀트 화학종은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 이리듐(Ir) 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 트랜지스터 구조체 형성 방법
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9
제 6 항에 있어서,
상기 기판 상에 게이트 전극 패턴을 형성하는 것;
상기 게이트 전극 패턴을 덮는 절연막을 형성하는 것;
상기 절연막 상에 소스 및 드레인을 형성하는 것을 더 포함하고,
상기 금속산화물 반도체층을 형성하는 것은 상기 소스 및 드레인이 형성된 상기 기판 상에 상기 금속산화물을 공급하는 것을 포함하는 트랜지스터 구조체 형성 방법
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10
제 9 항에 있어서,
상기 소스 및 드레인을 형성하는 것은:
상기 절연막 상에 소스 및 드레인막을 형성하는 것; 및
상기 소스 및 드레인막에 상기 절연막을 노출시키는 트렌치를 형성하는 것을 포함하고,
상기 금속산화물 반도체층을 형성하는 것은:
상기 트렌치를 채우는 산화아연막을 형성하는 것; 및
상기 산화아연막을 패터닝하는 것을 더 포함하는 트랜지스터 구조체 형성 방법
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