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칼코게나이드계 원소를 포함하는 광전도층을 가지는 포토박막트랜지스터 및 이를 이용한 이미지 센서의 단위 셀

  • 기술번호 : KST2015088483
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유리 기판 상에 칼코게나이드계 원소를 포함하는 비정질의 GST막으로 형성되고 광을 흡수하여 광전류를 발생하는 광전도층과, 상기 광전도층의 양측에 형성되고, 상기 광전도층과 연결되어 상기 광에 의해 발생하는 광전류의 도통을 위해 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 광전도층 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성되고 상기 광전류의 온오프를 위해 형성된 게이트 전극을 포함하여 이루어진다. 이상과 같이 본 발명은 칼코나이드계 원소를 포함하는 비정질 상태의 GST막을 광전도층으로 이용하여 아주 높은 광전도성을 가질 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01)
출원번호/일자 1020050124174 (2005.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0744547-0000 (2007.07.25)
공개번호/일자 10-2007-0046687 (2007.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20070801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050103427   |   2005.10.31
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송기봉 대한민국 대전 서구
2 조두희 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0735231-44
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0767364-02
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2006.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-5002960-91
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0080943-46
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0739281-91
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0129170-23
8 의견서
Written Opinion
2007.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0129168-31
9 등록결정서
Decision to grant
2007.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0314502-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
유리 기판 상에 칼코게나이드계 원소를 포함하는 비정질의 GST막으로 형성되고 광을 흡수하여 광전류를 발생하는 광전도층;상기 광전도층의 양측에 형성되고, 상기 광전도층과 연결되어 상기 광에 의해 발생하는 광전류의 도통을 위해 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극;상기 광전도층 상에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되고 상기 광전류의 온오프를 위해 형성된 게이트 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토 박막트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 유기물인 고분자 PMMA막인 것을 특징으로 하는 포토 박막트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 칼코게나이드계 절연막인 것을 특징으로 하는 포토 박막트랜지스터
5 5
유리 기판 상에 칼코게나이드 원소를 포함하는 비정질의 GST막으로 형성되고 광을 흡수하여 광전류를 발생하는 광전도층;상기 광전도층의 양측에 형성되고, 상기 광전도층과 연결되어 상기 광에 의해 발생하는 광전류의 도통을 위해 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극;상기 광전도층 상에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되고 상기 광전류의 온오프를 위해 형성된 게이트 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 단위셀
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 유기물인 고분자 PMMA막인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위셀
8 8
제5항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 칼코게나이드계 절연막인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 단위셀
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3 US2007096242 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7582945 US 미국 DOCDBFAMILY
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