요약 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 박막 트랜지스터는 기판 상의 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 인접하는 활성층, 상기 게이트 전극과 상기 활성층 사이의 게이트 절연막, 및 상기 활성층과 연결되는 소스/드레인 전극들을 포함하되, 상기 활성층은 제1 활성층과 상기 제1 활성층 상의 제2 활성층을 포함하고, 상기 제1 활성층과 상기 제2 활성층은 동일한 산화물 반도체를 포함하고, 상기 제1 활성층과 상기 제2 활성층 내 산화물 반도체의 산소 함유량은 서로 상이하다. |
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Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) |
CPC | H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120110759 (2012.10.05) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2014-0044598 (2014.04.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 1 |