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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015090785
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 박막 트랜지스터의 제조방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 것, 상기 게이트 전극에 인접하고 산화물 반도체를 포함하는 활성층을 형성하는 것, 상기 활성층 상에 산소제공층을 형성하는 것, 상기 게이트 전극과 상기 활성층 사이에 게이트 절연막을 형성하는 것, 및 상기 활성층과 결합하는 소스/드레인 전극들을 형성하는 것, 상기 게이트 전극과 상기 게이트 절연막을 덮는 평탄층을 형성하는 것, 상기 활성층을 노출하는 홀을 형성하는 것, 및 상기 평탄층 상에 산소 분위기에서 열처리 공정을 수행하는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01)
출원번호/일자 1020120105889 (2012.09.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0043554 (2014.04.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상철 대한민국 대전 유성구
2 오지영 대한민국 대전 중구
3 안성덕 대한민국 대전 유성구
4 조경익 대한민국 대전 유성구
5 이상석 대한민국 충청남도 연기군
6 구재본 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0773958-39
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033916-80
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0567415-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0725157-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1306607-40
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1306606-05
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0276589-14
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0606221-90
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-0606220-44
11 등록결정서
Decision to grant
2019.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0766466-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 산화물 반도체를 포함하는 활성층을 형성하는 것;상기 활성층 상에 산소제공층을 형성하는 것;상기 산소제공층 상에 게이트 절연막을 형성하는 것; 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 것;상기 게이트 전극과 상기 게이트 절연막을 덮는 평탄층을 형성하는 것; 상기 평탄층, 상기 게이트 절연막, 및 상기 산소제공층을 관통하고 상기 활성층을 노출하는 홀을 형성하는 것; 및 상기 평탄층 상에 산소 분위기에서 열처리 공정을 수행함으로써, 상기 산소 분위기 내 산소 원자들을 상기 홀을 통해 상기 활성층 내로 공급하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 산소제공층은 제1 온도에서 산소를 방출하는 금속 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 산소제공층은 AgO를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서,상기 열처리 공정은 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도에서 수행되는 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서,상기 열처리 공정에 의해 상기 산소제공층 내의 산소 원자들이 상기 활성층 내로 공급되는 박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 홀은 상기 평탄층, 상기 게이트 절연막, 및 상기 산소제공층을 관통하여 상기 활성층의 상면의 일부를 노출하는 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 활성층이 형성되기 전에, 상기 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 활성층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 각각의 일부를 덮도록 형성되는 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 게이트 절연막을 형성하는 것은:상기 산소제공층 상에 제1 절연막, 제2 절연막, 및 제3 절연막을 차례로 형성하는 것을 포함하고,상기 제1 절연막과 상기 제3 절연막은 무기물을 포함하고, 상기 제2 절연막은 유기물을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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11 11
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1 US2014084283 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9153651 US 미국 DOCDBFAMILY
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