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자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015090923
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 소스 및 드레인 전극을 자기 정렬되도록 형성함으로써 동작 속도 및 안정성을 향상시키는 동시에 그 크기를 최소화할 수 있는 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 활성층, 게이트 절연막 및 게이트층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 게이트층 상에 게이트 전극의 형상을 정의하기 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트층, 상기 게이트 절연막 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계, 식각된 기판 상에 방향성을 갖는 증착법으로 소스 및 드레인층을 증착하는 단계 및 상기 감광막 패턴을 제거하여 게이트 전극, 자기 정렬된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01)
출원번호/일자 1020120133471 (2012.11.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2086626-0000 (2020.03.03)
공개번호/일자 10-2014-0066878 (2014.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20200311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오힘찬 대한민국 서울특별시 관악구
2 황치선 대한민국 대전 유성구
3 박상희 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0967343-10
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0063283-55
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0039866-90
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1111041-42
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0998376-81
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0577423-66
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0737231-97
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1312955-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1312956-55
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0388910-27
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0773990-43
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0773989-07
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0913169-72
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0109738-26
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0109739-72
17 등록결정서
Decision to grant		 2020.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0116623-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 활성층, 게이트 절연막 및 게이트층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 게이트층 상에 게이트 전극의 형상을 정의하기 위한 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트층을 식각하여 상기 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 감광막 패턴을 이용하여, 상기 게이트 절연막의 하면 및 상기 활성층의 상면의 폭이 상기 감광막 패턴의 폭과 동일하게 되도록 상기 게이트 절연막 및 상기 활성층을 각각 순차적으로 식각하는 단계;상기 식각하는 단계 이후에, 상기 기판의 상면 및 상기 감광막 패턴의 상면 상에 소스 및 드레인층을 증착하는 단계; 및상기 증착하는 단계 이후에, 상기 감광막 패턴 및 상기 감광막 패턴의 상면 상에 증착된 소스 및 드레인층을 제거하여 자기 정렬된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트층을 식각하여 상기 게이트 전극을 형성하는 단계에 있어서, 상기 감광막 패턴의 폭보다 상기 게이트 전극의 폭이 더 좁아지도록 상기 게이트층을 식각하는 것을 특징으로 하는자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 감광막 패턴을 이용하여, 상기 게이트 절연막의 하면 및 상기 활성층의 상면의 폭이 상기 감광막 패턴의 폭과 동일하게 되도록 상기 게이트 절연막 및 상기 활성층을 각각 순차적으로 식각하는 단계에 있어서, 상기 활성층의 밑부분 일부가 상기 기판 상에 남아 있도록 식각 깊이를 조절하여 상기 활성층을 식각하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 형성된 소스 전극 및 드레인 전극의 일부가 상기 식각된 활성층 및 게이트 절연막의 측벽에 형성되어 상기 게이트 전극과 접촉하게 되는 경우, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 일부를 열 또는 플라즈마 처리를 통해 산화시키는 단계를 더 포함하는 자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 활성층은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 게이트층은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 티켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈(Ta), 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
기판 상에 활성층, 게이트 절연막 및 게이트층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 게이트층 상에 게이트 전극의 형상을 정의하기 위한 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트층을 식각하여 상기 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트 절연막 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계;상기 식각하는 단계 이후에, 상기 기판의 상면 및 상기 제 1 감광막 패턴의 상면 상에 소스 및 드레인층을 증착하는 단계;상기 소스 및 드레인층 상에 소스 전극 및 드레인 전극의 형상을 정의하기 위한 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 2 감광막 패턴을 이용하여 상기 소스 및 드레인층을 식각하는 단계; 및상기 제 1 감광막 패턴, 제 2 감광막 패턴 및 상기 제1 감광막 패턴의 상면 상에 증착된 소스 및 드레인층을 제거하여 자기 정렬된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 제 1 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트층을 식각하여 상기 게이트 전극을 형성하는 단계에 있어서, 상기 제 1 감광막 패턴의 폭보다 상기 게이트 전극의 폭이 더 좁아지도록 상기 게이트층을 식각하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제 7항에 있어서,상기 제 1 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트 절연막 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계에 있어서, 상기 활성층의 밑부분 일부가 상기 기판 상에 남아 있도록 식각 깊이를 조절하여 상기 활성층을 식각하는 것을 특징으로 하는자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제 7항에 있어서,상기 형성된 소스 전극 및 드레인 전극의 일부가 상기 식각된 활성층 및 게이트 절연막의 측벽에 형성되어 상기 게이트 전극과 접촉하게 되는 경우, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 일부를 열 또는 플라즈마 처리를 통해 산화시키는 단계를 더 포함하는 자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제 7항에 있어서,상기 활성층은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제 7항에 있어서,상기 게이트층은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 구리(Cu), 티켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈(Ta), 인듐-틴-옥사이드(ITO) 및 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는자기 정렬 박막 트랜지스터의 제조 방법
13 13
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발