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트렌지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015091287
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 트렌지스터는 기판 상의 소스/드레인 전극들, 기판 상에서 상기 소스/드레인 전극들 사이에 개재된 반도체층, 상기 반도체층 상에 배치된 환원방지막, 상기 반도체층에 대응하는 영역에 배치된 게이트 전극을 포함할 수 있다. 반도체층은 제1 반도체 산화물을 포함하고, 소스/드레인 전극들은 제1 산화물 반도체 반도체층 동일한 원소 포함하되, 더 낮은 산소함량비를 가지는 제2 반도체 산화물을 포함할 수 있다. 트렌지스터는 향상된 신뢰도를 가지며, 고속 동작할 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01)
출원번호/일자 1020120144277 (2012.12.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0080589 (2014.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오힘찬 대한민국 서울특별시 관악구
2 황치선 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-1032592-21
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045356-47
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 반도체층을 형성하는 것; 상기 반도체층 상에 환원방지막을 형성하는 것; 상기 환원방지막의 일부를 제거하여, 상기 반도체층의 일부를 노출시키는 것; 및상기 노출된 반도체층을 환원시켜 소스/드레인 전극들을 형성하는 것을 포함하는 트렌지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발