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엔캡슐레이션 막의 선택적 형성 방법 및 이를 이용하는유기 발광 소자 및 유기 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015093039
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 엔캡슐레이션막의 선택적 형성 방법 및 이를 이용하는 유기 발광 소자 및 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 엔캡슐레이션막의 선택적 형성 방법은 기판을 억제제로 처리한 후 기판상에 유기물층을 구비한 소자를 형성하고, 억제제의 작용에 의해 소자를 선택적으로 덮는 보호막을 형성하는 단계들을 포함한다. 본 발명에 의하면, 유기 발광 소자, 유기 박막 트랜지스터 등의 유기물층을 구비하는 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.유기 박막, 엔캡슐레이션, 파릴렌, 선택적 증착, 억제제, 유기 발광 소자, 유기 박막 트랜지스터
Int. CL H05B 33/10 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H05B 33/04 (2006.01)
CPC H01L 51/5237(2013.01) H01L 51/5237(2013.01)
출원번호/일자 1020050119786 (2005.12.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0742561-0000 (2007.07.19)
공개번호/일자 10-2007-0060421 (2007.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20070725) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.31)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오지영 대한민국 대전 중구
2 이정익 대한민국 경기 수원시 권선구
3 박상희 대한민국 대전 유성구
4 양용석 대한민국 대전 유성구
5 추혜용 대한민국 대전 유성구
6 서경수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2005-0718349-89
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0072041-93
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0072032-82
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0076479-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0082727-65
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0260845-28
8 의견서
Written Opinion		 2007.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0260840-01
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0385425-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 억제제로 처리하는 단계;상기 기판 상에 유기물층을 구비한 소자를 형성하는 단계; 및상기 억제제의 작용에 의해 상기 소자를 선택적으로 덮는 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 엔캡슐레이션 막의 선택적 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 보호막은 파릴렌 박막인 것을 특징으로 하는 엔캡슐레이션 막의 선택적 형성 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 억제제는 철이온을 포함하는 용액으로 형성되며, 상기 용액의 용매는 알코올류 또는 물과 극성용매와의 혼합용매인 것을 특징으로 하는 엔캡슐레이션 막의 선택적 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 억제제로 처리하는 단계는 상기 기판 상에 상기 소자의 하부 전극을 형성한 후에 실시되는 것을 특징으로 하는 엔캡슐레이션 막의 선택적 형성 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 기판을 억제제로 처리하는 단계는 0
6 6
기판 상의 제1 영역에 위치하는 억제층;상기 기판 상의 제2 영역에 위치하며 적층 구조를 갖는 제1 전극, 유기층 및 제2 전극;상기 억제층을 노출시키고 상기 제1 전극, 상기 유기층 및 상기 제2 전극을 선택적으로 덮는 보호막을 포함하는 유기 발광 소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 억제층은 철이온을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
8 8
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 보호막은 파릴렌 박막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 기판 상에 위치하며 상기 유기층의 구동 제어를 위한 유기 전계효과 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 보호막은 상기 유기 전계효과 트랜지스터를 덮는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
11 11
기판 상의 제1 영역에 위치하는 억제층;상기 기판 상의 제2 영역에 위치하는 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 유기물 반도체층;상기 억제층을 노출시키고 상기 게이트 전극, 상기 소스/드레인 전극 및 상기 유기물 반도체층을 선택적으로 덮는 보호막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 억제층은 철이온을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
13 13
제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 보호막은 파릴렌 박막인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.