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산화물 박막 트랜지스터를 이용한 레벨 시프터 및 이를 포함하는 스캔 구동회로

  • 기술번호 : KST2015093283
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 레벨 시프터와 스캔 구동회로는 단일형의 산화물 박막 트랜지스터들로만 구성되어 디스플레이 패널에 내장이 가능하므로 디스플레이 구동 장치의 소형화 및 제조 비용의 감소를 도모할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 레벨 시프터와 스캔 구동회로는 풀업 트랜지스터들이 래치 구조로 연결되어 풀스윙이 가능하므로 단일형 구조의 한계를 극복할 수 있으며, 대기 상태에서 산화물 박막 트랜지스터가 확실히 턴오프되므로 불필요한 전력 소모를 줄일 수 있다.
Int. CL H03K 19/0185 (2006.01) G09G 3/20 (2006.01) G09G 3/36 (2006.01)
CPC H03K 19/018521(2013.01) H03K 19/018521(2013.01) H03K 19/018521(2013.01) H03K 19/018521(2013.01)
출원번호/일자 1020130025813 (2013.03.11)
출원인 한국전자통신연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1335678-0000 (2013.11.26)
공개번호/일자 10-2013-0040994 (2013.04.24) 문서열기
공고번호/일자 (20131203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2009-0100304 (2009.10.21)
관련 출원번호 1020090100304
심사청구여부/일자 Y (2013.03.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변춘원 대한민국 대전 유성구
2 황치선 대한민국 대전 유성구
3 조경익 대한민국 대전 유성구
4 권오경 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문용호 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
2 이용우 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
3 강신섭 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0211007-54
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0367977-10
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0668862-59
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0668907-15
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-1038670-69
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0801645-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
비반전 입력신호에 따라 출력신호를 접지전압으로 풀다운시키는 다수의 N형 산화물 박막 트랜지스터로 구성된 풀다운부; 및반전 입력신호에 따라 상기 출력신호를 전원전압으로 풀업시키는 다수의 N형 산화물 박막 트랜지스터로 구성된 풀업부를 포함하며,상기 풀업부를 구성하는 다수의 N형 산화물 박막 트랜지스터는 래치 구조로 연결되어 상기 출력신호를 상기 전원전압으로 풀업시키는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 풀다운부는,게이트에 입력되는 제1, 2 비반전 입력신호에 따라 제1, 2 노드의 전압을 접지전압으로 풀다운시키는 제1, 2 산화물 박막 트랜지스터를 포함하며,상기 제1 노드로부터 접지전압으로 풀다운된 출력신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
3 3
제 2항에 있어서, 상기 풀다운부는,게이트에 입력되는 상기 제1, 2 비반전 입력신호에 따라 제3, 4 노드의 전압을 접지전압으로 풀다운시키는 제3, 4 산화물 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
4 4
제 3항에 있어서, 상기 제1 비반전 입력신호는 상기 반전 입력신호와 반대의 위상을 가지며,상기 반전 입력신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변화된 이후에 상기 제2 비반전 입력신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변화되는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
5 5
제 3항에 있어서, 상기 풀업부는,게이트에 반전 입력신호가 입력되는 제5 산화물 박막 트랜지스터와, 상기 제5 산화물 박막 트랜지스터의 소스에 게이트가 연결되어 상기 반전 입력신호에 따라 상기 제2 노드의 전압을 전원전압으로 풀업시키는 제6 산화물 박막 트랜지스터와,상기 제6 산화물 박막 트랜지스터와 래치 구조로 연결되어 상기 제2 노드의 전압에 따라 상기 제1 노드의 전압을 전원전압으로 풀업시키는 제7 산화물 박막 트랜지스터를 포함하며,상기 제1 노드로부터 전원전압으로 풀업된 출력신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
6 6
제 5항에 있어서, 상기 풀업부는,상기 제6 산화물 박막 트랜지스터의 소스에 게이트가 연결되어 상기 제6 산화물 박막 트랜지스터의 전류 구동 능력을 증가시키는 제8 산화물 박막 트랜지스터와, 상기 제7 산화물 박막 트랜지스터의 소스에 게이트가 연결되어 상기 제7 산화물 박막 트랜지스터의 전류 구동 능력을 증가시키는 제9 산화물 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
7 7
제 6항에 있어서, 상기 제8 산화물 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제7 산화물 박막 트랜지스터의 게이트에 연결되고, 상기 제9 산화물 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제6 산화물 박막 트랜지스터의 게이트에 연결되는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제1, 2 비반전 입력신호가 하이 레벨이고 상기 반전 입력신호가 로우 레벨인 경우, 상기 제1, 2 비반전 입력신호에 의해 상기 풀다운부에 포함된 상기 제1 내지 제4 산화물 박막 트랜지스터가 모두 턴온되어 상기 출력신호가 접지전압으로 풀다운되고, 상기 반전 입력신호에 의해 상기 풀업부에 포함된 상기 제5 내지 제9 산화물 박막 트랜지스터가 모두 턴오프되어 전원전압으로부터 상기 제1 내지 제4 노드쪽으로 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제1, 2 비반전 입력신호가 로우 레벨이고 상기 반전 입력신호가 하이 레벨인 경우, 상기 제1, 2 비반전 입력신호에 의해 상기 풀다운부에 포함된 상기 제1 내지 제4 산화물 박막 트랜지스터가 모두 턴오프되어 상기 제1 내지 제4 노드로부터 접지전압쪽으로 전류가 흐르지 않고, 상기 반전 입력신호에 의해 상기 풀업부에 포함된 상기 제5 내지 제9 산화물 박막 트랜지스터가 모두 턴온되어 상기 출력신호가 전원전압으로 풀업되는 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
10 10
제 9항에 있어서, 상기 제1, 2 비반전 입력신호와 상기 반전 입력신호의 로우 레벨(VSSL)은 상기 출력신호의 로우 레벨(VSS) 보다 더 낮은 것을 특징으로 하는 레벨 시프터
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