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다결정박막트랜지스터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015094186
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기적 특성을 향상시킨 새로운 구조의 박막 트랜지스터 및 이를 구현하기 위한 제조방법에 관한 것으로서, 진성 다결정 실리콘(20)과 진성 다결정 실리콘 저마늄(21)은 화학기상증착법을 이용하여 비정질 실리콘 박막(201), 비정질 실리콘 저마늄 박막(211), 비정질 실리콘 박막(202)을 순차적으로 증착한 후 600℃ 이하의 온도에서 전기로 열처리에 의한 고상결정화나, 600℃이상의 온도에서 급속 열처리로 결정핵을 생성한 후 600℃이하의 전기로에서 결정립을 성장시키는 공정에 의해 제조된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/78675(2013.01)
출원번호/일자 1019940036339 (1994.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0155304-0000 (1998.07.14)
공개번호/일자 10-1996-0026967 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전직할시서구
2 남기수 대한민국 대전직할시유성구
3 김보우 대한민국 대전직할시유성구
4 백종태 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163830-73
2 특허출원서
Patent Application		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163829-26
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163831-18
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163832-64
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163833-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091025-17
7 의견서
Written Opinion		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163835-01
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163836-46
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0163834-55
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091026-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다결정 박막 트랜지스터에 있어서, 투명 절연기판 또는 절연막이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼(10)상에 진성 다결정 실리콘 박막(20) 사이에 진성 다결정 실리콘 저마늄(21)이 삽입된 형태의 3층 구조로 된 활성층과, 상기 진성 다결정 실리콘(20)과 진성 다결정 실리콘 저마늄(21)위에 형성한 게이트 산화막(30)과, 상기 게이트 전극(40) 위에 게이트 전극(40)을 형성한 후 도펀트 불순물을 이온 주입하여 만든 소오스 및 드레인(50)과, 상기 게이트 산화막(30)과 게이트 전극(40)위에 형성한 보호 산화막(60)과, 상기 보호산화막(60)을 패터닝하여 전극 접촉구멍을 형성한 후 상기 소오스 및 드레인(50)과 전기적으로 연결된 금속 전극(70)을 포함하는 다결정 박막 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서, 상기 진성 다결정 실리콘(20)의 두께는 100∼1,000Å인 것을 특징으로 하는 다결정 박막 트랜지스터

3 3

제1항에 있어서 상기 진성 다결정 실리콘 저마늄(21)의 두께는 50∼500Å인 것을 특징으로 하는 다결정 박막 트랜지스터

4 4

제1항에 있어서, 상기 진성 다결정 실리콘 저마늄(21)의 저마늄 몰비는 0

5 5

진성 다결정 실리콘(20)과 진성 다결정 실리콘 저마늄(21)은 화학기상증착법을 이용하여 비정질 실리콘 박막(201), 비정질 실리콘 저마늄 박막(211), 비정질 실리콘 박막(202)을 순차적으로 증착한 후 600℃ 이하의 온도에서 전기로 열처리에 의한 고상결정화나, 600℃이상의 온도에서 급속 열처리로 결정핵을 생성한 후 600℃이하의 전기로에서 결정립을 성장시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.