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투명 전도성 산화물 박막의 제조방법에 있어서,
ZnO 막 형성과 동시에 Mo가 ZnO 막 속으로 도핑되도록 Mo와 ZnO를 동시에 증착하여 Mo-도핑된 ZnO 막을 형성하는 단계; 상기 Mo-도핑된 ZnO 막 상에 Mo로 금속막을 코팅하는 단계; 및 상기 Mo 금속막이 코팅된 Mo-도핑된 ZnO 막을 250 내지 350℃의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 투명 전도성 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 증착은 불활성 환경 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 Mo 금속막은 1 내지 3nm의 두께 범위 내에서 코팅되는 것인 투명 전도성 산화물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 Mo-도핑된 ZnO 에서, Mo 함량은 0
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제 1항에 있어서,
상기 증착은 스퍼터, 이베퍼레이터 또는 이온-건을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속이 도핑된 투명 전도성 산화물 박막의 제조방법
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기판 상에, 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스·드레인 전극 및 채널층을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,
상기 소스·드레인 전극은 투명 전도성 산화물 박막을 포함하며,
상기 투명 전도성 산화물 박막은 ZnO 막 형성과 동시에 Mo가 ZnO 막 속으로 도핑되도록 Mo와 ZnO를 동시에 증착하여 Mo-도핑된 ZnO 막을 형성하고, 상기 Mo-도핑된 ZnO 막 상에 Mo로 금속막을 코팅하고, 이어서 상기 Mo 금속막으로 코팅된 Mo-도핑된 ZnO 막을 250 내지 350℃에서 열처리하는 것으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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