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기판 상에 채널층을 구성하는 n형 칼코제나이드층을 형성하기 위해 칼코제나이드 소재를 타겟으로 배치하는 단계;상기 칼코제나이드 소재를 기판 상에 증착시키기 위해 증착 챔버(chamber)에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 동시에 주입하는 단계;상기 n형 칼코제나이드층 상부에 확산 방지층을 형성하고, 상기 확산 방지층을 패터닝하는 단계; 및상기 n형 칼코제나이드층에서 상기 확산 방지층이 형성된 제1 영역을 제외한 나머지 제2 영역에 Te합금을 증착하는 단계; 및상기 제2 영역에 열 에너지를 가하여 상기 Te합금이 증착된 n형 칼코제나이드 소재를 확산시켜 소오스 및 드레인 영역을 구성하는 p형 칼코제나이드층을 형성하는 단계를 포함하는 칼코제나이드 박막형 트랜지스터 제작 방법
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청구항 6에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 플라스틱 기판, 폴리이미드 기판, 비닐 기판 중 어느 하나로 형성되며, 상기 Te합금은 GeTe, SbTe, Te로 이루어진 군 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드 박막형 트랜지스터 제작 방법
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청구항 6에 있어서,상기 칼코제나이드층은 Ge2Sb2Te5층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드 박막형 트랜지스터 제작 방법
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청구항 6에 있어서,상기 채널층을 구성하는 n형 칼코제나이드층의 하부에 게이트 절연층을 개재하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코제나이드 박막형 트랜지스터 제작 방법
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청구항 9에 있어서,상기 게이트 절연층은 유기물인 고분자 PMMA막인 것을 특징으로 하는 칼코제나이드 박막형 트랜지스터 제작 방법
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청구항 9에 있어서,상기 게이트 절연층은 PECVD방법으로 형성된 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 박막형 트랜지스터 제작 방법
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기판 상에 칼코제나이드 소재를 타겟으로 배치한 후 증착 챔버(chamber)에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 동시에 주입하여 형성되며, 채널층을 구성하는 제 1형 전도도를 갖는 칼코제나이드층;상기 제 1형 전도도를 갖는 칼코제나이드층에서 확산 방지층이 형성된 제1 영역을 제외한 나머지 제2 영역에 Te합금을 증착하고, 상기 제2 영역에 열 에너지를 가하여 상기 Te합금이 증착된 n형 칼코제나이드 소재를 확산시켜 형성되며, 소오스 및 드레인 영역을 구성하는 제 2형 전도도를 갖는 칼코제나이드층; 및상기 소오스 및 드레인 영역을 구성하며 제 2형 전도도를 갖는, 칼코제나이드층에 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막형 트랜지스터
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청구항 12에 있어서,상기 채널층과 소오스 및 드레인 영역을 구성하는 칼코제나이드층은 Ge2Sb2Te5층인 것을 특징으로 하는 박막형 트랜지스터
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청구항 12에 있어서,상기 제 1형 전도도를 갖는 칼코제나이드층의 하부에 게이트 절연층을 개재하여 형성된 게이트 전극를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형 트랜지스터
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청구항 14에 있어서,상기 게이트 절연층은 유기물인 고분자 PMMA막인 것을 특징으로 하는 박막형 트랜지스터
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청구항 14에 있어서,상기 게이트 절연층은 PECVD방법으로 형성된 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 박막형 트랜지스터
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청구항 12에 있어서,상기 채널층은 n형이고, 상기 소오스 및 드레인 영역은 p형인 것을 특징으로 하는 박막형 트랜지스터
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청구항 12에 있어서,상기 채널층은 p형이고, 상기 소오스 및 드레인 영역은 n형인 것을 특징으로 하는 박막형 트랜지스터
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