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기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 후속 공정을 통해 형성될 금속막과 반응하지 않는 전도성 화합물을 형성하는 단계;상기 전도성 화합물과 상기 게이트 절연막을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 상부에 상기 금속막을 형성하는 단계; 및상기 금속막과 상기 기판에 함유된 실리콘을 반응시켜 상기 게이트 전극의 양측으로 노출되는 상기 기판에 금속 실리사이드막으로 이루어진 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 후속 공정을 통해 형성될 금속막과 반응하지 않는 전도성 화합물을 형성하는 단계;상기 전도성 화합물과 상기 게이트 절연막을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 양측으로 노출되는 상기 기판 내에 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 영역을 포함하는 상기 기판 상부에 상기 금속막을 형성하는 단계; 및상기 금속막과 상기 소스 및 드레인 영역에 함유된 실리콘을 반응시켜 금속 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 실리사이드막을 형성하는 단계 후 상기 금속막 중 상기 실리콘과 미반응되어 잔류된 상기 금속막을 제거하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비결정 실리콘, SixGe1-x(0<x<1), SixN1-x(0<x<1) 및 SiC로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전도성 화합물은 산화아연, 산화주석, 산화인듐주석 및 갈륨질화물 중 선택된 어느 하나인 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전도성 화합물은 스퍼터링, 전자빔 증착기, 화학적 기상 증착, 물리적 기상 증착, 금속 유기 화학적 기상 증착 및 분자빔 에피택시 중 선택된 어느 하나의 방법으로 형성하는 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속막은 Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Ni, Ti, Co, Cu, Pt, W, Cr, Mo, Au, Ag, Zn, Ir, Ta, Hf, K, Li, Cs 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속막은 질소 또는 산소와 결합된 화합물 중 선택된 어느 하나로 이루어진 반도체 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 실리사이드막은 열처리 공정을 실시하여 형성하는 반도체 소자의 제조방법
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기판 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성되고, 금속막과 반응하지 않는 전도성 화합물로 이루어진 게이트 전극; 및상기 게이트 전극의 양측으로 노출된 상기 기판 내에 형성되고, 상기 금속막과 실리콘이 반응하여 형성된 금속 실리사이드막으로 이루어진 소스 및 드레인 영역을 포함하는 반도체 소자
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기판 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성되고, 금속막과 반응하지 않는 전도성 화합물로 이루어진 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 양측으로 노출된 상기 기판 내에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및상기 금속막과 상기 소스 및 드레인 영역에 함유된 일부의 실리콘이 반응하여 상기 소스 및 드레인 영역 상에 형성된 금속 실리사이드막을 포함하는 반도체 소자
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 기판은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비결정 실리콘, SixGe1-x(0<x<1), SixN1-x(0<x<1) 및 SiC로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 반도체 소자
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 전도성 화합물은 산화아연, 산화주석, 산화인듐주석 및 갈륨질화물 중 선택된 어느 하나인 반도체 소자
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 금속막은 Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Ni, Ti, Co, Cu, Pt, W, Cr, Mo, Au, Ag, Zn, Ir, Ta, Hf, K, Li, Cs 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 반도체 소자
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 금속막은 질소 또는 산소와 결합된 화합물 중 선택된 어느 하나로 이루어진 반도체 소자
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