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자기 정렬된 유기물 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015095675
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기물 혹은 고분자 전계 효과 트랜지스터의 전하이동도 및 성능 개선을 위한 새로운 형태의 유기물 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 유기물 전계 효과 트랜지스터는 기판상에 감광 고분자 박막을 이용하여 형성된 게이트 전극; 상기 기판과 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 전극과 상호 중첩되지 않도록 상기 게이트 절연층 상에 채널 영역을 사이에 두고 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 채널 영역의 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 유기 반도체층을 포함하는 것으로, 소스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역과 게이트 전극을 자기 정렬된(self-aligned) 방식으로 제조하는데 그 특징이 있다. 이에 따라, 진공 증착과 포토리소그래피 같은 공정들을 이용해 제조된 자기정렬 형태의 전극 구조물들을 이용하여 기생 정전용량(parasitic capacitance)이 없는 유기물 전계 효과 트랜지스터 소자의 구현이 가능하고 소자의 성능 개선을 이룰 수 있다.유기물 전계효과 트랜지스터, 감광 고분자, 자기정렬, 기생 정전용량, 전하 이동도
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01)
출원번호/일자 1020060119863 (2006.11.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0817215-0000 (2008.03.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.30)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양용석 대한민국 대전 유성구
2 추혜용 대한민국 대전 유성구
3 김성현 대한민국 대전 유성구
4 구재본 대한민국 대전 유성구
5 임상철 대한민국 대전 유성구
6 김철암 대한민국 서울 영등포구
7 백규하 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 경기도 과천시 관문
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0890433-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0049463-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0525318-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0836629-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0836640-75
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0151439-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 감광 고분자 박막을 이용하여 형성된 게이트 전극;상기 기판과 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 전극과 상호 중첩되지 않도록 상기 게이트 절연층 상에 채널 영역을 사이에 두고 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 채널 영역의 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 유기 반도체층을 포함하는 유기물 전계 효과 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 감광 고분자 박막은 광개시제를 포함하며, 자외선을 조사하면 전도도가 변하는 물질을 이용하는 유기물 전계 효과 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 감광 고분자 박막은 상기 전도도가 도체에서 부도체로 변하는 박막 또는 상기 전도도가 부도체에서 도체로 변하는 박막 중 하나인 유기물 전계 효과 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서, 상기 감광 고분자 박막은 포토 폴리머(photo polymer :PP) 또는 인버스 포토 폴리머(inverse photo polymer: IPP)를 사용하는 유기물 전계 효과 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연체층은 투명성을 띠는 유기 물질이나 무기 물질을 이용하는 유기물 전계 효과 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 투명 전극층(transparent electrode)을 이용하는 유기물 전계 효과 트랜지스터
7 7
(a) 기판상에 게이트 전극용 감광 고분자 박막, 게이트 절연체층 및 전극층을 순차적으로 적층하는 단계;(b) 소스와 드레인 전극의 폭이 형성되도록 상기 전극층을 패터닝하는 단계;(c) 상기 패터닝된 전극층이 형성된 상기 기판상에 포토레지스트를 도포하고 패터닝하여 채널 영역과 게이트 전극이 형성될 영역을 제거하는 단계;(d) 상기 포토레지스트의 제거 영역을 통해 노출된 상기 전극층을 식각하여 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 상기 채널 영역을 형성하는 단계;(e) 상기 포토레지스트가 형성된 상기 기판 전면에 금속박막을 증착하는 단계;(f) 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 남아있는 포토레지스트를 제거하여 게이트용 마스크 역할을 수행하는 상기 금속박막을 패터닝하는 단계;(g) 상기 게이트 전극을 형성하기 위해, 상기 패터닝된 금속 박막이 형성된 상기 기판상에서 자외선을 조사하여 상기 감광 고분자 박막의 전도도를 변화시켜 게이트 전극을 형성하는 단계;(h) 식각 공정을 이용하여 마스크 역할을 수행하는 상기 금속 박막을 제거하는 단계; 및(i) 상기 채널 영역 상에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 유기물 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
8 8
(a) 기판상에 게이트 전극용 감광 고분자 박막, 게이트 절연체층 및 금속박막을 순차적으로 적층하는 단계;(b) 상기 금속 박막 상에 포토레지스트를 도포하고 게이트 형상의 마스크와 포토리소그래피 공정을 사용하여 게이트 전극이 형성되도록 상기 포토레지스트를 패터닝하는 단계;(c) 식각 공정과 상기 패터닝된 포토레지스트를 이용하여 노출된 상기 금속박막을 제거하여 게이트용 마스크 역할을 수행하는 금속박막 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 패터닝된 금속박막이 형성된 상기 기판상에서 자외선을 조사하여 상기 감광 고분자 박막을 절연체층으로 변화시켜 게이트 전극을 형성하는 단계; (e) 상기 포토레지스트가 형성된 기판 상부에 전극층을 증착하는 단계;(f) 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;(g) 상기 포토레지스트를 이용하여 노출된 상기 금속박막을 식각하여 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 채널 영역을 형성하는 단계;(h) 상기 채널 영역 상에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 유기물 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
9 9
(a) 기판상에 게이트 전극용 감광 고분자 박막, 게이트 절연체층 및 전극층을 순차적으로 적층하는 단계;(b) 상기 게이트 절연체층 상에 형성된 상기 전극층을 패터닝하여 채널영역에서 소스와 드레인의 폭이 형성되도록 패터닝하는 단계;(c) 상기 패터닝된 전극층이 형성된 상기 기판상에 금속 박막을 증착하는 단계;(d) 상기 금속박막 상에 포토레지스트를 도포하고 게이트 형상의 마스크와 포토리소그래피 공정을 사용하여 채널 크기의 게이트 넓이를 갖는 게이트 전극이 형성되도록 상기 포토레지스트를 패터닝하는 단계;(e) 식각 공정을 이용하여 노출된 상기 금속박막을 제거하는 단계;(f) 식각 공정을 이용하여 상기 금속박막 제거 후에 노출된 상기 전극층을 제거하는 단계;(g) 상기 전극층 및 상기 금속박막이 제거된 다음, 상기 기판상에서 자외선을 조사하여 상기 감광 고분자 박막을 변화시켜 게이트 전극을 형성하는 단계; (h) 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 기판상에 남아있는 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;(i) 식각 공정을 이용하여 상기 기판상에 남아있는 상기 금속박막을 제거하는 단계; 및(j) 상기 채널 영역 상에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 유기물 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
10 10
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기물 반도체층을 형성하는 단계 전에, 상기 게이트 전극 중 일부를 외부로 노출시켜 배선을 제조하는 단계를 더 포함하는 유기물 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
11 11
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 감광 고분자 박막은 포토 폴리머(photo polymer :PP) 또는 인버스 포토 폴리머(inverse photo polymer: IPP)를 사용하는 유기물 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
12 12
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 절연체층은 투명성을 띠는 유기 물질이나 무기 물질을 이용하는 유기물 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
13 13
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극층은 투명 전극층(transparent electrode)을 이용하는 유기물 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.