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장파장 표면 방출 레이저 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015095702
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 표면 방출 레이저 소자에 따르면, 장파장 빛을 표면 방출하는 하부 거울층, 광 이득을 제공하는 활성층, 자유 캐리어(free carrier) 흡수 손실을 줄이기 위한 터널 접합층 및 상부 거울층이 화합물 반도체 기판 상에 순차적으로 적층되고, 상기 활성층, 터널 접합층 및 상부 거울층 중 적어도 어느 하나의 측면에 식각에 의하여 구경부가 형성되고,상기 구경부가 형성되는 층보다 더 큰 열 전도성을 갖는 열 방출층이 상기 구경부에 채워지는 것이 특징이다.
Int. CL H01S 5/18 (2006.01)
CPC H01S 5/18308(2013.01) H01S 5/18308(2013.01) H01S 5/18308(2013.01) H01S 5/18308(2013.01)
출원번호/일자 1020080105481 (2008.10.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0918400-0000 (2009.09.15)
공개번호/일자 10-2008-0098574 (2008.11.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060123410   |   2006.12.06
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-2007-0047284 (2007.05.15)
관련 출원번호 1020070047284
심사청구여부/일자 Y (2008.11.28)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미란 대한민국 대전 유성구
2 권오균 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0745203-69
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0823994-52
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0060191-57
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0208739-57
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0208740-04
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0350733-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
레이저를 표면 방출하는 하부 거울층, 광 이득을 제공하는 활성층, 자유 캐리어(free carrier) 흡수 손실을 줄이기 위한 터널 접합층 및 상부 거울층이 화합물 반도체 기판 상에 순차적으로 적층되고, 상기 활성층, 터널 접합층 및 상부 거울층 중 적어도 어느 하나의 측면에 식각에 의하여 구경부가 형성되고, 상기 구경부가 형성되는 층보다 더 큰 열 전도성을 갖는 열 방출층이 상기 구경부에 채워지며, 전류를 주입하기 위한, 상기 하부 거울층과 상기 활성층 사이에 제1 전극층, 상기 활성층과 터널 접합층 사이에 제2 전극층, 상기 터널 접합층과 상부 거울층 사이에 제3 전극층이 더 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 열 방출층은, 상기 구경부에 증착되는 절연층과, 상기 절연층에 적층되는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 절연층은, 원자층 증착법(ALD : atomic layer deposition) 또는 플라즈마 원자층 증착법(PEALD; Plasma Enhanced atomic layer deposition)에 의하여 상기 구경부의 두께보다 작게 증착되는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 절연층은, 산화막 또는 질화막으로서 Al2O3 SiO2, SnO2, TiO2, ZrO2, In2O3, HfO2, AlN 중에서 적어도 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
5 5
제2항에 있어서, 상기 금속층은, Cu, Al, Pd, Ru, Ti, Ta, W, TiN, TaN 중에서 적어도 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 구경부는, 건식 식각에 의하여 노출된 상기 활성층, 제2 전극층, 터널 접합층, 제3 전극층, 상부 거울층의 측면을 선택적 습식 식각함으로써 상기 활성층, 터널 접합층 및 상부 거울층 중 적어도 어느 하나의 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 구경부의 형성에 따라 상기 터널 접합층의 직경은 상기 활성층 및 상부 거울층의 직경보다 더 작은 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
9 9
제1항 내지 제5항, 제7항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 InP 로 이루어지며, 상기 하부 거울층, 활성층, 터널 접합층 및 상부 거울층은 상기 기판과 동종의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 하부 거울층은 InAlGaAs/InAlAs쌍, 상기 활성층은 다중양자우물 구조로서 InAlGaAs, 상기 상부 거울층은 InP/InAlAs쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
11 11
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극층, 제2 전극층 및 제3 전극층은 그 적층 순서대로 n-InP, p-InP 및 n-InP을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자
12 12
레이저를 표면 방출하는 하부 거울층, 전류를 주입하는 제1 전극층, 광 이득을 제공하는 활성층, 제2 전극층, 자유 캐리어(free carrier) 흡수 손실을 줄이기 위한 터널 접합층, 제3 전극층 및 상부 거울층을 화합물 반도체 기판 상에 순차적으로 적층하는 단계; 상기 활성층, 제2 전극층, 터널 접합층, 제3 전극층 및 상부 거울층을 건식 식각하여 각각의 측면을 노출하는 단계; 상기 활성층, 터널 접합층 및 상부 거울층 중 적어도 어느 하나의 측면을 선택적 습식 식각하여 구경부를 형성하는 단계; 상기 구경부가 형성되는 층보다 더 큰 열 전도성을 갖는 열 방출층을 상기 구경부에 채워 넣는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 열 방출층은, 상기 구경부에 절연층을 증착시킨 다음 상기 절연층에 금속층을 적층시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 절연층은, 원자층 증착법(ALD : atomic layer deposition) 또는 플라즈마 원자층 증착법(PEALD; Plasma Enhanced atomic layer deposition)에 의하여 상기 구경부의 두께보다 작게 증착되는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자의 제조 방법
15 15
제12항에 있어서, 상기 구경부의 형성에 따라 상기 터널 접합층의 직경은 상기 활성층 및 상부 거울층의 직경보다 더 작아지는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자의 제조 방법
16 16
제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 InP 로 이루어지며, 상기 하부 거울층, 활성층, 터널 접합층 및 상부 거울층은 상기 기판과 동종의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 하부 거울층은 InAlGaAs/InAlAs쌍, 상기 활성층은 다중양자우물 구조로서 InAlGaAs, 상기 상부 거울층은 InP/InAlAs쌍을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자의 제조 방법
18 18
제12항에 있어서, 상기 제1 전극층, 제2 전극층 및 제3 전극층은 그 적층 순서대로 n-InP, p-InP 및 n-InP을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 방출 레이저 소자의 제조 방법
19 19
제1 항에 있어서, 상기 레이저는 1
20 20
제12 항에 있어서, 상기 레이저는 1
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1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국정보통신연구원 IT전략기술개발 광엑세스용 광집적 모듈