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게이트 전극이 형성된 기판 전면 상에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 형상반전 감광막과 광 표백물질막을 순차 도포하는 단계;
마스크를 사용한 노광 공정을 통해 상기 형상반전 감광막 중에서 필드 영역의 감광막만을 선택적으로 감광시키는 단계;
상기 형상반전 감광막 중에서 상기 게이트 전극 상부에 위치한 감광막이 감광되고 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막은 감광되지 않도록 상기 기판에 대해 전면 노광을 실시하는 단계;
상기 전면 노광 후, 상기 광 표백물질막을 제거하고, 감광된 상기 필드 영역 및 게이트 전극 상부의 감광막을 열처리를 통해 형상 반전시키는 단계;
상기 형상 반전 후, 전면 노광을 실시하여, 형상 반전되지 않은 상기 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막을 감광시키는 단계; 및
현상액을 이용하여 상기 감광된 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막을 제거함으로써 소스-드레인 전극 형상이 구현된 감광막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 소스-드레인 전극 형상이 구현된 감광막 패턴 형성 후, 상기 기판 전면 상에 소스-드레인 전극용 금속막을 증착하고 상기 감광막 패턴을 리프트-오프 공정에 의해 제거함으로써 소스-드레인 전극을 형성하는 단계; 및
상기 소스-드레인 전극이 형성된 기판 상에 유기 반도체 박막 및 보호막을 순차 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 유기 반도체 박막 및 보호막 형성 후, 상기 게이트 전극 위의 보호막 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 보호막 상의 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 유기 반도체 박막 및 보호막을 선택적으로 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 필드 영역의 감광막만을 선택적으로 감광시키는 단계는, 소스 전극 형상과 드레인 전극 형상이 서로 연결되어 통합된 소스-드레인 전극용 마스크를 접촉형 정렬 노광 장비에 적용하여 상기 필드 영역만을 선택적으로 노광시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 게이트 전극 상부의 감광막을 감광시키는 전면 노광 단계는, 상기 게이트 전극 상부의 감광막만이 노광되고 상기 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막은 상기 광 표백물질막에 의해 차단되도록 하는 노광 에너지를 적용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 형상반전 감광막 및 광 표백물질막 도포 단계에서, 상기 형상반전 감광막과 광 표백물질막은 상기 게이트 전극 상부 영역에서 다른 영역에 비하여 낮은 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 게이트 전극 상부의 감광막을 감광시키는 전면 노광 단계에서, 상기 게이트 전극 상부 영역에서는 광 표백물질을 투과하여 형상반전 감광막을 감광시키지만, 상기 소스-드레인 전극 형성 영역에서는 광 표백물질을 비투과하거나 감광이 안되는 노광 에너지 범위에서 전면 노광을 실시하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 기판은 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 게이트 절연막은 유기물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 게이트 전극은 상기 기판 상에서 300 nm 이상의 단차를 갖도록 고반사율의 금속막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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