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다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015096388
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 절연 기판의 상부에 진성 비정질 실리콘 박막을 증착하고 활성영역을 한정하도록 상기 진성 비정질 실리콘 박막을 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 비정질 실리콘 박막을 650℃이하의 온도와 상압 내지 100atm의 산소(O2)분위기에서 열처리하여 다결정 실리콘 박막으로 상변화시킴과 동시에 표면을 산화시켜 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 산화막의 상부에 다결정실리콘을 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극 양측의 다결정 실리콘 박막에 불순물을 주입하여 소스 및 드레인영역을 형성하고 채널영역을 한정하는 공정과, 상기 게이트 산화막 및 게이트 전극의 상부에 층간산화막을 증착하고 상기 소스 및 드레인영역이 노출되도록 상기 게이트 산화막과 층간산화막의 소정 부분을 제거하여 접촉 구멍을 형성하는 공정과, 상기 소스 및 드레인영역과 접촉되게 접촉 구멍을 채우도록 금속 전극을 형성하는 공정을 구비한다.따라서, 비정질 실리콘의 고상 결정화를 위한 열처리 시간을 단축하므로 다결정 실리콘 박막 및 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 생산성을 향상시킬 뿐만 아니라 다결정 실리콘 결정립 크기를 균일하게 하여 박막 트랜지스터의 전기적 특성의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 또한, 게이트 산화막을 열산화 방법으로 형성하므로 절연 특성 및 계면 특성이 양호하여 소자의 문턱 전압을 감소시킬 수 있으며 비정질 실리콘의 고상 결정화 및 게이트 산화막이 단 한번의 공정에 의해 이루어지기 때문에 제조 생산성과 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01)
출원번호/일자 1019950053646 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0205069-0000 (1999.03.31)
공개번호/일자 10-1997-0054500 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (19990701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전광역시 서구
2 김종대 대한민국 대전광역시 유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207310-09
2 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207309-52
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207311-44
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207312-90
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207313-35
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0468645-70
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0760411-83
8 의견서
Written Opinion		 1998.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0760410-37
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0760409-91
10 등록사정서
Decision to grant		 1999.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0025300-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

절연 기판의 상부에 진성 비정질 실리콘 박막을 증착하고 활성영역을 한정하도록 상기 진성 비정질 실리콘 박막을 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 비정질 실리콘 박막을 650℃ 이하의 온도와 상압 내지 100atm의 산소(O2)분위기에서 열처리하여 다결정 실리콘 박막으로 상변화시킴과 동시에 표면을 산화시켜 게이트 산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 산화막의 상부에 다결정실리콘을 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극 양측의 다결정 실리콘 박막에 불순물을 주입하여 소스 및 드레인영역을 형성하고 채널영역을 한정하는 공정과, 상기 게이트 산화막 및 게이트 전극의 상부에 층간산화막을 증착하고 상기 소스 및 드레인영역이 노출되도록 상기 게이트 산화막과 층간산화막의 소정 부분을 제거하여 접촉 구멍을 형성하는 공정과, 상기 소스 및 드레인영역과 접촉되게 접촉 구멍을 채우도록 금속 전극을 형성하는 공정을 구비하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 절연기판이 절연막이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼, 유리 또는 석영으로 이루어진 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 진성 비정질 실리콘 박막을 200 ~ 1500Å의 두께로 형성하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 게이트 산화막을 80~150Å의 두께로 형성하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인영역을 비소(As) 또는 인(P)을 이온 주입하여 형성하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인영역을 붕소(B) 또는 BF2을 이온 주입하여 형성하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP09181324 JP 일본 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP9181324 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH09181324 JP 일본 DOCDBFAMILY
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