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액티브 영역의 반도체 기판 상부의 선택된 영역에 순차적으로 형성된 게이트 산화막 및 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 양측면에 스페이서 절연막에 의해 전기적으로 절연되도록 형성된 소오스/드레인 국부전극과, 상기 국부전극 하부의 상기 반도체기판에 상기 국부전극과 전기적으로 접촉되도록 형성된 소오스/드레인과, 상기 소오스/드레인이 금속전극과 전기적으로 연결되도록 상기 국부전극과 상기 금속전극 사이에 형성된 소오스/드레인 연결층과, 상기 연결층과 상기 반도체 기판 사이에 형성된 절연막과, 전체 구조 상부에 소자간 전기적 절연과 소자 보호용으로 형성된 중간 절연막을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 연결층은 도프트 다결정 실리콘 및 도프트 비정질 실리콘중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 국부전극은 다결정 실리콘 및 비정질 실리콘중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법
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필드 산화막을 포함한 반도체 기판 상부에 제1절연막, 제1실리콘막 및 제2절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제2절연막, 제1실리콘막 및 제1절연막의 소정 영역을 순차적으로 식각하여 자기정렬된 소오스/드레인 영역을 형성하고, 상기 패터닝된 제1실리콘막은 소오스/드레인 연결층이 되는 단계; 상기 소오스/드레인 영역을 포함한 전체 구조 상부에 제2실리콘막 및 제3절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제3절연막 및 상기 제2실리콘막을 순차적으로 식각하여 스페이서 산화막 및 소오스/드레인 국부전극을 형성하는 단계; 열산화 공정으로 게이트 산화막을 형성하고, 이때 상기 소오스/드레인 연결층내에 함유된 불순물이 상기 소오스/드레인 국부전극을 확산 통로로 하여 상기 반도체 기판으로 확산되는 단계; 전체 구조 상부에 도프트 다결정 실리콘을 증착하고, 이때 상기 반도체 기판으로 확산된 불순물이 할성화되어 소오스/드레인을 형성하는 단계; 화학적 기계적 연마법으로 상기 다결정 실리콘을 연마하여 평탄화시켜 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 전체 구조 상부에 층간 절연막을 형성하고, 금속 콘택 공정을 통해 상기 소오스/드레인과 연결된 상기 소오스/드레인 연결층에 접촉되는 금속 전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3절연막은 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1실리콘막은 도프트 다결정 실리콘 및 도프트 비정질 실리콘중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법
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제4항에 있어서, 제2실리콘막은 다결정 실리콘 및 비정질 실리콘중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법
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