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박막 트랜지스터

기술번호 : KST2015097224
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 이 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 것, 게이트 전극이 형성된 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 것, 상기 게이트 절연막 상에 제 1 도전층을 형성하는 것, 상기 제 1 도전층 상에 제 2 도전층을 형성하는 것, 상기 제 2 도전층 상에 상기 게이트 전극 일측의 소스 영역에서 제 1 두께를 갖는 제 1 영역, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 타측의 드레인 영역에서 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖는 제 2 영역을 포함하는 제 1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것, 상기 제 1 포토 레지스트 패턴을 사용하며 상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층을 식각하는 것, 상기 제 1 영역의 상기 레지스트는 남기면서 상기 제 2 영역의 상기 레지스트는 제거하여 제 2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것, 상기 제 2 포토 레지스트 패턴을 사용하여 상기 제 2 도전층을 식각하는 것, 상기 기판 상에 네가티브형의 레지스트를 도포하는 것, 배면 노광하여 상기 게이트 전극 상의 상기 네가티브형의 레지스트를 제거하는 것, 상기 게이트 전극 상의 상기 제 1 도전층을 식각하는 것, 상기 게이트 전극 상의 상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체층을 형성하는 것, 상기 산화물 반도체층이 형성된 상기 기판 상에 보호층을 형성하는 것, 상기 보호층 상에 평탄층을 형성하는 것 을 포함한다.
Int. CL	H01L 29/417 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC	H01L 27/1288(2013.01) H01L 27/1288(2013.01) H01L 27/1288(2013.01) H01L 27/1288(2013.01)
출원번호/일자	1020130127995 (2013.10.25)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0135588 (2014.11.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020130055882 \| 2013.05.16
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	1

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	조성행	대한민국	충청북도 청원군
2	박상희	대한민국	대전 유성구
3	황치선	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.10.25	수리 (Accepted)	1-1-2013-0969693-66
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0048803-70
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계;상기 제 1 도전층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계;상기 제 2 도전층 상에 상기 게이트 전극 일측의 소스 영역에서 제 1 두께를 갖는 제 1 영역, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 타측의 드레인 영역에서 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖는 제 2 영역을 포함하는 제 1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 포토 레지스트 패턴을 사용하며 상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층을 식각하는 단계;상기 제 1 영역의 상기 레지스트는 남기면서 상기 제 2 영역의 상기 레지스트는 제거하여 제 2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제 2 포토 레지스트 패턴을 사용하여 상기 제 2 도전층을 식각하는 단계;상기 기판 상에 네가티브형의 레지스트를 도포하는 단계;배면 노광하여 상기 게이트 전극 상의 상기 네가티브형의 레지스트를 제거하는 단계;상기 게이트 전극 상의 상기 제 1 도전층을 식각하는 단계;상기 게이트 전극 상의 상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체층이 형성된 상기 기판 상에 보호층을 형성하는 단계;및상기 보호층 상에 평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	㈜AVACO	산업원천기술개발사업(디스플레이)	폭 1500nm 플렉서블 기판에 산화물 박막 트랜지스터 증착을 위한 스퍼터 장비 실용화 기술 개발

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.10.25	수리 (Accepted)	1-1-2013-0969693-66
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0048803-70
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415122413
세부과제번호	10041837
연구과제명	폭 1500mm 플렉서블 기판에 산화물 박막 트랜지스터 증착을 위한 스퍼터 장비 실용화 기술 개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2012
연구기간	201206~201605
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020130127995]	박막 트랜지스터	새창보기

중요키워드

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