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신축성 박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015098609
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신축성 박막트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은, 몰드 기판을 형성하는 단계와, 상기 몰드 기판 상에 신축성 절연체를 형성하는 단계와, 상기 신축성 절연체 상에 평판 기판을 형성하는 단계와, 상기 몰드 기판을 제거하는 단계와, 상기 신축성 절연체 상에 불연속적이고 주름진 배선들을 형성하는 단계와, 상기 배선들 사이에 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 평판 기판을 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01)
출원번호/일자 1020120127615 (2012.11.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0060822 (2014.05.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.15)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구재본 대한민국 대전 서구
2 박찬우 대한민국 대전 유성구
3 정순원 대한민국 대전 유성구
4 임상철 대한민국 대전 유성구
5 오지영 대한민국 대전 중구
6 나복순 대한민국 대전 중구
7 추혜용 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0928549-60
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045352-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0573580-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0729953-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-1231456-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1231457-51
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0267701-32
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0519586-19
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0519585-74
11 등록결정서
Decision to grant
2019.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0766089-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
몰드 기판을 형성하는 단계;상기 몰드 기판 상에 신축성 절연체를 형성하는 단계;상기 신축성 절연체 상에 평판 기판을 형성하는 단계;상기 몰드 기판을 제거하는 단계;상기 신축성 절연체의 상기 몰드 기판이 제거된 면에 불연속적이고 주름진 배선들을 형성하는 단계;상기 주름진 배선들 사이에 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 평판 기판을 제거하는 단계를 포함하되,상기 주름진 배선들을 형성하는 단계는:상기 신축성 절연체 상에 불연속적으로 배선들을 형성하는 단계;상기 배선들 및 상기 신축성 절연체를 열처리하는 단계; 및상기 배선들 및 상기 신축성 절연체를 급속 냉각하는 단계를 포함하는 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 몰드 기판은 바닥 기판과, 상기 바닥 기판 상의 포토레지스트 패턴들을 포함하는 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 바닥 기판은 상기 신축성 절연체의 소자 영역에 접촉되고, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 신축성 절연체의 배선 영역에 접촉되는 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 신축성 절연체의 상기 소자 영역은 상기 배선 영역보다 두꺼운 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 배선들 및 상기 신축성 절연체를 열처리하는 단계는 섭씨 100도 내지 300도에서 수행되는 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터와 상기 주름진 배선들 사이를 연결하는 인터커넥션 배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 인터커넥션 배선은 인쇄 방법으로 형성되는 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 신축성 절연체는 피디엠에스(PDMS)를 포함하는 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
10 10
기판 상에 신축성 절연체를 형성하는 단계;상기 신축성 절연체 상에 불연속적이고 주름진 배선들을 형성하는 단계;상기 주름진 배선들에 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 기판을 제거하는 단계를 포함하되,상기 주름진 배선들을 형성하는 단계는:상기 신축성 절연체 상에 불연속적으로 배선들을 형성하는 단계;상기 배선들 및 상기 신축성 절연체를 열처리하는 단계; 및상기 신축성 절연체 및 상기 배선들을 급속 냉각하는 단계를 포함하는 신축성 박막 트랜지스터의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 10 항에 있어서,상기 박막트랜지스터와 상기 주름진 배선들을 연결하는 인터커넥션 배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 신축성 박막트랜지스터의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 인터커넥션 배선은 인쇄 방법으로 형성되는 박막트랜지스터의 제조방법
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1 US2014134840 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8912094 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발