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제1 도전형 기판상에 제1 도전형 층을 형성한 후 상기 제1 도전형 층을 이방성 식각하여 상기 제1 도전형 층을 관통하는 복수의 트렌치와 복수의 제1 도전형 필라를 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 필라의 측면에 산화막을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 필라의 상면으로 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 상기 제1 도전형 필라의 상부를 도핑하는 단계; 및
상기 제1 도전형 필라의 측면에 형성된 산화막을 제거한 후 상기 트렌치를 매립하고 상기 제1 도전형 필라의 상면을 덮도록 제2 도전형 층을 형성함으로써, 상기 도핑된 제1 도전형 필라 상부로부터 불순물 확산에 의해 제1 도전형 버퍼 영역을 형성하고, 상기 제1 도전형 버퍼 영역 상에 제2 도전형 바디 영역을 형성하는 단계를 포함하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 필라의 측면에 산화막을 형성하는 단계는,
상기 제1 도전형 필라가 형성된 상기 기판 전면을 열산화하여 상기 제1 도전형 필라의 측면 및 상면과 상기 트렌치 바닥면에 산화막을 형성하는 단계; 및
상기 산화막에 대해 이방성 식각을 실시하여 상기 제1 도전형 필라의 상면과 상기 트렌치 바닥면에 형성된 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 제2 도전형 바디 영역을 형성하는 단계를 수행한 후
상기 제2 도전형 바디 영역 표면에 제2 도전형 불순물을 이온주입하여 제2 도전형 바디 컨택 영역을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 버퍼 영역에 이르는 트렌치 게이트를 형성하는 단계; 및
상기 제2 도전형 바디 영역 표면에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 제1 도전형 소스 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 제2 도전형 바디 컨택 영역을 형성하는 단계는,
상기 제2 도전형 바디 영역이 형성된 기판 전면 상에 산화막 및 질화막을 순차 형성하는 단계;
사진 식각 공정에 의해 상기 질화막을 선택적으로 식각하여 제2 도전형 바디 컨택 영역 형성부를 정의하는 단계; 및
상기 제2 도전형 바디 컨택 영역 형성부가 정의된 제2 도전형 바디 영역 표면에 제2 도전형 불순물을 이온주입하여 제2 도전형 바디 컨택 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 제2 도전형 바디 컨택 영역 형성 단계는, 상기 제2 도전형 바디 영역 표면에 보론을 이온주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 트렌치 게이트를 형성하는 단계는,
상기 제1 도전형 버퍼 영역 형성 후, 상기 제2 도전형 바디 영역을 선택적으로 식각함으로써 상기 제1 도전형 버퍼 영역에 이르는 게이트용 트렌치를 형성하는 단계;
상기 게이트용 트렌치의 측벽과 밑면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 절연막이 형성된 게이트용 트렌치를 매립하는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제3항에 있어서, 제1 도전형 소스 영역을 형성하는 단계를 수행한 후
상기 제1 도전형 소스 영역이 형성된 기판 전면 상에 층간 절연막을 형성하고 이를 평탄화하는 단계;
상기 평탄화된 층간 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 제1 도전형 소스 영역과 제2 도전형 바디 컨택 영역의 배선 접촉부를 오픈시키는 단계; 및
상기 오픈된 배선 접촉부가 형성된 기판 전면 상에 금속층을 증착하고 상기 금속층을 패터닝하여 금속 배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,
상기 평탄화하는 단계는,
상기 제1 도전형 소스 영역이 형성된 기판 전면 상에 TEOS 산화막과 BPSG 산화막을 도포하는 단계; 및
상기 TEOS 산화막과 BPSG 산화막을 열처리하여 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,
상기 배선 접촉부를 오픈시키는 단계는,
상기 제2 도전형 바디 컨택 영역의 상면 전체와 제1 도전형 소스 영역의 상면 일부를 노출시키도록 상기 층간 절연막을 식각하는 단계; 및
상기 제2 도전형 바디 컨택 영역의 표면부를 습식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 필라의 상부를 도핑하는 단계는 상기 제1 도전형 필라 상면으로 인(P) 또는 비소(As)를 이온주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼 접합 구조를 갖는 TDMOS 소자의 제조 방법
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