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이극성 티오펜 화합물 및 이를 포함하는 전계 효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015099891
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 절연막용 2극성 유기 단분자 및 이를 포함하는 전계 효과 트랜지스터가 개시된다. 상기 전계 효과 트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상의 절연막, 상기 절연막 상의 반도체층, 상기 반도체층 상의 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 절연막은 전자 전달 그룹과 전자 수용 그룹을 동시에 포함하는 2극성(ambipolar) 유기 단분자층을 포함한다. 2극성(ambipolar), 비휘발성 메모리, 전계 효과 트랜지스터
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/4232(2013.01) H01L 29/4232(2013.01) H01L 29/4232(2013.01) H01L 29/4232(2013.01)
출원번호/일자 1020090020168 (2009.03.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1306987-0000 (2013.09.04)
공개번호/일자 10-2010-0101795 (2010.09.20) 문서열기
공고번호/일자 (20130926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정미희 대한민국 대전광역시 서구
2 송규호 대한민국 대전광역시 서구
3 이효영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0144442-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0315753-14
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0532528-80
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0532527-34
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0725869-51
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0059865-28
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0113436-08
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0345304-63
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0345305-19
11 등록결정서
Decision to grant
2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0598794-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극;상기 게이트 전극 상 또는 아래의 반도체층; 및상기 게이트 전극과 상기 반도체 층 사이의 절연막을 포함하며,상기 절연막은 전자 전달 그룹과 전자 수용 그룹을 동시에 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 2극성(ambipolar) 유기 단분자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 절연막은 상기 유기 단분자층과 상기 반도체층 사이에 형성된 폴리메틸메타크릴레이트층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 반도체층은 펜타센(pentacene), 구리프탈로시아닌(Copper phthalocyanine)계 및 풀러렌(fullerene)계의 유기 단분자, 그리고 티오펜계의 고분자를 포함하는 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 유기 반도체층인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
5 5
하기 화학식 1의 유기 단분자를 포함하는 전계효과 트렌지스터용 유기 절연막 조성물
6 6
삭제
7 7
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 하기 화학식 1로 표시되는 2극성 유기 단분자층을 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막을 사이에 두고 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서,상기 절연막을 형성하는 단계는 상기 절연막과 상기 2극성 유기 단분자층 사이에 폴리메틸메타크릴레이트층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.