요약 | 본 발명의 실시예에 따른 트렌지스터는 활성층 및 상기 활성층에 접하는 게이트 절연막을 포함할 수 있다. 활성층 및 게이트 절연막은 동일한 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 게이트 절연막은 활성층보다 높은 산소람량비를 가지는 산화물을 포함할 수 있다. 활성층 및 게이트 절연막이 동일한 물질을 포함함에 따라, 트렌지스터 구동 시 활성층 내에서 높은 전하이동도가 나타날 수 있다. 트렌지스터의 제조공정에서 활성층 및 게이트 절연막은 동일한 스퍼터링 챔버 내에서 산소분압비만 달리한 채, 동일한 물질을 증착하여 형성할 수 있다. |
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Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) |
CPC | H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120144265 (2012.12.12) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2014-0076106 (2014.06.20) 문서열기 |
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국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 1 |