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저온공정에의한비정질실리콘박막의결정화방법

  • 기술번호 : KST2015111355
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정표시장치의 구동소자인 박막트랜지스터에 사용되는 다결정질 실리콘 박막제조를 위한 저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 관한 것이다.본 발명은 비정질 실리콘 박막이나, 팔라듐등과 같이 결정화 반응을 촉진시키는 금속을 소량함유하는 비정질 실리콘 박막을 마이크로파 수소 프라즈마 분위기에서 결정화시킴으로써, 기존의 결정화 방법에 비하여 훨씬 낮은 온도와 짧은 시간에 양질의 다결정질 실리콘 박막의 제조가 가능하다.이 방법을 박막트랜지스터 소자 제작에 응용함으로써 공정온도의 감소나 공정시간의 단축은 물론 박막트랜지스터 소자 특성의 향상이 가능하다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01)
출원번호/일자 1019970069415 (1997.12.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0050318 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재영 대한민국 대전광역시 유성구
2 김해열 대한민국 대전광역시 서구
3 한영수 대한민국 대전광역시 유성구
4 강윤선 대한민국 대전광역시 유성구
5 박찬도 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217274-01
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217276-92
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1997-0217275-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009909-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.06 수리 (Accepted) 4-1-1999-0030399-30
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0154821-18
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.08.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5265274-16
9 의견서
Written Opinion		 2000.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5265273-60
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0059952-74
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0332627-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다결정질 실리콘 박막의 제조에 있어서, 마이크로파 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

2

3 3

제 1 항에 있어서,

기판 온도는 430∼460℃에서 1시간 반응시키는 것을 특징으로 하는 저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

결정화용 비정질 실리콘 박막 자체만을 기판위에 형성하거나 또는 비정질 실리콘의 결정화반응을 촉진시키기 위하여 팔라듐, 니켈, 알루미늄 등과 같은 금속을 기판위에 형성한 후 그 위에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 저온공정에 의한 비정질 시리콘 박막의 결정화 방법

5 5

액정표시장치 구동용 박막트랜지스터 제조공정중 비정질 실리콘 박막의 결정화용이나 결정화 촉진 금속원소를 함유한 비정질 실리콘 박막의 결정화용 마이크로파 수소 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.