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광유도 전하전달 물질을 이용한 나노 구조 광센서

  • 기술번호 : KST2014046670
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 나노 구조의 작은 부피에도 불구하고 높은 광전류 변화를 얻을 수 있는 기법에 관한 것으로써, 광유도 전하전달 물질을 나노 구조에 부착하여 빛에 대한 감도를 키울 수 있는 방법에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명은, 광유도 전하전달 물질을 부착한 반도체 나노 구조 광센서에 있어서, 기판; 및 상기 기판 위에 형성되는 소스, 드레인 및 나노 구조;를 포함하되, 상기 소스 및 드레인은 높은 전도도를 위해 금속이나 큰 도핑농도의 반도체를 사용하고, 상기 나노 구조는 작은 면적과 실용 가능한 정도의 에너지 밴드갭을 갖는 실리콘, 게르마늄, 탄소나노튜브, 그래핀 등의 반도체를 사용하며, 부착하는 물질은 빛을 받았을 때만 선택적으로 전자를 흡수하거나 방출하는 광유도 전하전달 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조 광센서를 제공한다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01)
출원번호/일자 1020100070060 (2010.07.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1071110-0000 (2011.09.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.20)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 최성진 대한민국 대전 유성구
3 설명록 대한민국 대전 유성구
4 양지원 대한민국 대전 유성구
5 이영철 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0467959-61
2 등록결정서
Decision to grant
2011.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0546153-46
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광유도 전하전달 물질이 부착된 반도체 나노 구조 광센서에 있어서, 기판; 상기 기판 위에 형성되는 소스, 드레인; 상기 소스 및 상기 드레인에 그 양단이 접속된 나노 구조; 및상기 나노 구조에 부착된 한 종류 이상의 광유도 전하전달 물질을 포함하고, 상기 전하전달 물질은 빛에 따른 나노 구조 광전류 변화를 증폭시켜주는, 반도체 나노 구조 광센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판, Ge 기판, SOI 기판, SiC 기판, SiGe 기판, Glass 기판, GaAs 기판, AlGaAs 기판 및 InGaAs 기판 중에서 하나의 기판인, 반도체 나노 구조 광센서
3 3
제 1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인은 금속 및 높게 도핑 된 반도체 중에서 어느 하나의 물질을 포함하는, 반도체 나노 구조 광센서
4 4
제 1항에 있어서, 상기 반도체 나노 구조는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 탄소 나노 튜브(Carbon nanotube), 그래핀(Graphene) 중에서 하나 이상의 물질을 포함하고, 상기 반도체 나노 구조의 형태는 나노점(Nanodot), 나노선(Nanowire), 나노벨트(Nanobelt) 중 에서 하나인, 반도체 나노 구조 광센서
5 5
제 1항에 있어서, 상기 광유도 전하전달 물질은 빛을 받았을 때 전자를 흡수하는 전자 억셉터(electron acceptor) 또는 빛을 받았을 때 전자를 방출하는 전자 도너(electron donor)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조 광센서
6 6
제 5항에 있어서, 광유도 전하전달 물질은 Porphyrin , PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 bacteriorhodopsin(bR) 중 하나 이상을 포함하는, 반도체 나노 구조 광센서
7 7
광유도 전하전달 물질이 부착된 반도체 나노 구조 광센서를 제조하는 방법으로서, 기판을 생성하는 단계; 상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층을 식각하여 소스, 드레인 및 상기 소스 및 드레인을 연결하는 나노 구조를 형성하는 단계; 및상기 나노 구조 상에 한 종류 이상의 광유도 전하전달 물질을 부착하는 단계를 포함하는, 반도체 나노 구조 광센서 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판, Ge 기판, SOI 기판, SiC 기판, SiGe 기판, Glass 기판, GaAs 기판, AlGaAs 기판 및 InGaAs 기판 중에서 하나의 기판인, 반도체 나노 구조 광센서 제조 방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 소스 및 드레인은 금속 및 높게 도핑 된 반도체 중에서 어느 하나의 물질을 포함하는, 반도체 나노 구조 광센서 제조 방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 반도체 나노 구조는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 탄소 나노 튜브(Carbon nanotube), 그래핀(Graphene) 중에서 하나 이상의 물질을 포함하고, 상기 반도체 나노 구조의 형태는 나노점(Nanodot), 나노선(Nanowire), 나노벨트(Nanobelt) 중 에서 하나인, 반도체 나노 구조 광센서 제조 방법
11 11
제 7항에 있어서, 상기 광유도 전하전달 물질은 빛을 받았을 때 전자를 흡수하는 전자 억셉터(electron acceptor) 또는 빛을 받았을 때 전자를 방출하는 전자 도너(electron donor)로 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 나노 구조 광센서 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 광유도 전하전달 물질은 Porphyrin, bacteriorhodopsin(bR) 및 PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 중 하나 이상을 포함하는, 반도체 나노 구조 광센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.