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자기 정렬형 다층 박막을 포함하는 박막 전자소자

  • 기술번호 : KST2015118484
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 박막 전자소자는 기판, 상기 기판상에 위치하는 소수성 패턴, 상기 기판상에 위치하고, 제1박막층 및 제2박막층을 포함하는 자기 정렬형 다층 박막을 포함하는 전극, 및 상기 전극상에 위치하는 반도체층을 포함하고, 상기 자기 정렬형 다층 박막은: 선택적 젖음 현상을 통해 상기 소수성 패턴이 형성된 상기 기판상의 친수성 표면에만 상기 제1박막층을 형성하는 단계; 및 선택적 젖음 현상을 통해 상기 제1박막층 상에 제2박막층을 형성하는 단계를 통하여 제조되고, 상기 제1박막층의 전기 전도성이 상기 제2박막층의 전기 전도성보다 높고 그리고 상기 제2박막층의 전자 또는 정공 주입 능력이 상기 제1박막층의 전자 또는 정공 주입 능력보다 높다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H05B 33/06(2013.01) H05B 33/06(2013.01) H05B 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020110140897 (2011.12.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1370305-0000 (2014.02.27)
공개번호/일자 10-2013-0073184 (2013.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유승협 대한민국 대전광역시 유성구
2 문한얼 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1026694-59
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0061860-90
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0273894-56
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0273896-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0523219-57
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0881637-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0881634-42
9 등록결정서
Decision to grant
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0128447-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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4 4
기판;상기 기판상에 위치하는 소수성 패턴;상기 기판상에 위치하고, 제1박막층 및 제2박막층을 포함하는 자기 정렬형 다층 박막을 포함하는 전극; 및 상기 전극상에 위치하는 반도체층을 포함하고, 상기 자기 정렬형 다층 박막은:선택적 젖음 현상을 통해 상기 소수성 패턴이 형성된 상기 기판상의 친수성 표면에만 상기 제1박막층을 형성하는 단계; 및 선택적 젖음 현상을 통해 상기 제1박막층 상에 제2박막층을 형성하는 단계를 통하여 제조되고, 상기 제1박막층의 전기 전도성이 상기 제2박막층의 전기 전도성보다 높고 그리고 상기 제2박막층의 전자 또는 정공 주입 능력이 상기 제1박막층의 전자 또는 정공 주입 능력보다 높은, 박막 전자소자
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제4항에 있어서, 상기 소수성 패턴은 포토리소그래피, 플라즈마 에칭 또는 인쇄공정을 통해 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 전자소자
7 7
제4항에 있어서, 상기 제1박막층을 형성하는 단계는 딥코팅, 스핀코팅 또는 잉크젯 방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.