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무전해 도금법을 이용한 고속구리배선 칩 접속용 범프 및 ＵＢＭ 형성방법

  • 기술번호 : KST2015111695
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속구리배선 칩 접속용 플립칩 범프(Bump) 및 UBM(Under Bump Metallurgy) 형성방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 구리(Cu) 입출력(I/O)패드위에 무전해 구리도금과 무전해 니켈도금 공정을 연속으로 수행하여 이루어진 구리/니켈 또는 구리/니켈/구리 등의 플립칩 범프 및 UBM 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 고속구리배선 칩에 플립칩 범프 또는 UBM를 형성하는 데에 있어서 구리 배선 칩의 무전해 구리/니켈 범프는 무전해 구리 도금과 무전해 니켈 도금을 함께 도입함으로써 무전해 구리 도금의 장점인 구리 칩 패드와의 우수한 선택성 및 접착력과 무전해 니켈 도금의 장점인 빠른 도금 속도를 모두 갖추고 있다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990049093 (1999.11.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0345035-0000 (2002.07.04)
공개번호/일자 10-2000-0036297 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020724) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.11.06)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나재웅 대한민국 대전광역시유성구
2 전영두 대한민국 대전광역시유성구
3 임명진 대한민국 대전광역시유성구
4 백경욱 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1999-0144367-27
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.02.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-0037748-70
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2000.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2000-0041117-20
4 조기출원공개 신청서
Request for Laying Open of Early Application		 2000.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2000-0065570-41
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2001-0018819-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0312310-07
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2002-5008460-65
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0010716-12
10 의견서
Written Opinion		 2002.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2002-0010715-77
11 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2002-5010415-13
12 등록결정서
Decision to grant		 2002.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0158513-23
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

고속구리배선 칩의 비솔더 범프 형성방법에 있어서,

구리패드(1)상에 무전해 도금방법에 의해 구리를 도금하여 구리도금층(2)를 형성하는 단계와,

상기 구리도금층(2)에 무전해 도금방법에 의해 니켈을 도금하여 니켈도금층( 3)을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 범프 형성방법

2 2

제 1항에 있어서, 무전해 도금방법에 위해 형성된 무전해 구리/니켈 도금층위에 추가로 1회 이상 동일과정을 반복적으로 실시함으로써 다층구조의 구리/니켈 도금층을 구비하도록 하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 범프 형성방법

3 3

제 1항에 있어서, 무전해 구리도금층(1) 형성시 사용하는 구리도금액은 구리가 1∼4g/ℓ, 수산화 나트륨이 5∼18g/ℓ, 포름알데히드가 4∼12g/ℓ포함된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 범프 형성방법

4 4

제 1항에 있어서, 무전해 니켈도금층(2) 형성시 사용하는 니켈도금액은 니켈이 5∼10g/ℓ, 차아인산나트륨(H2PO2-)이 20∼45g/ℓ가 포함된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 범프 형성방법

5 5

고속구리배선 칩의 비솔더 UBM 형성방법에 있어서,

구리패드(1)상에 무전해 도금방법에 의해 구리를 도금하여 구리도금층(2)를 형성하는 단계와,

상기 구리도금층(2)에 무전해 도금방법에 의해 니켈을 도금하여 니켈도금층( 3)을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 UBM 형성방법

6 6

제 5항에 있어서, 무전해 도금방법에 위해 형성된 무전해 구리/니켈 도금층위에 추가로 1회 이상 동일과정을 반복적으로 실시함으로써 다층구조의 구리/니켈 도금층을 구비하도록 하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 UBM 형성방법

7 7

제 5항에 있어서, 무전해 구리도금층(1) 형성시 사용하는 구리도금액은 구리가 1∼4g/ℓ, 수산화 나트륨이 5∼18g/ℓ, 포름알데히드가 4∼12g/ℓ포함된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 UBM 형성방법

8 8

제 5항에 있어서, 무전해 니켈도금층(2) 형성시 사용하는 니켈도금액은 니켈이 5∼10g/ℓ, 차아인산나트륨(H2PO2-)이 20∼45g/ℓ가 포함된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 UBM 형성방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP13185572 JP 일본 FAMILY
2 US06362090 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2001185572 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US6362090 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.