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반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의 형성방법에 있어서, 니켈이온공급원 및 구리이온공급원을 함유하는 도금액에 패턴이 형성된 웨이퍼를 담그는 단계와, 소정의 전류밀도를 가하여 칩의 패드와 솔더범프간의 접속과 응력완화를 위한 구리층을 형성하는 단계와, 전류밀도를 증가시켜 솔더와 패드간의 확산방지층인 니켈-구리합금층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
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제 1항에 있어서, 전류밀도를 다시 감소시켜 상기 니켈-구리합금층 위에 솔더와의 젖음성 개선을 위한 구리층을 형성하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
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제 1항에 있어서, 순수 구리층과 니켈-구리 합금층의 형성에 요구되는 전류밀도의 비는 1:2
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제 3항에 있어서, 순수 구리층의 형성시 가하는 전류밀도는 0
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제 3항에 있어서, 니켈-구리 합금층의 형성시 가하는 전류밀도는 0
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제 1항에 있어서, 니켈이온공급원으로는 NiSO4, NiCl2, Ni(SO3NH2)2 에서 선택된 적어도 1종이상을 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
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제 1항에 있어서, 구리이온공급원으로는 CuSO4, CuCN, Cu2P2O7 에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
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제 1항에 있어서, 구리이온공급원으로는 CuSO4, CuCN, Cu2P2O7 에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
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