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전기도금법에 의한 반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의형성방법

  • 기술번호 : KST2015112012
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의 형성방법으로서, 니켈이온공급원 및 구리이온공급원을 함유하는 도금액에 패턴이 형성된 웨이퍼를 담그는 단계와, 소정의 전류밀도를 가하여 칩의 패드와 솔더범프간의 접속과 응력완화를 위한 구리층을 형성하는 단계, 및 전류밀도를 증가시켜 솔더와 패드간의 확산방지층인 니켈-구리합금층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법을 개시한다. 상기 구성에 의하면 패턴이 형성된 웨이퍼상에서 UBM을 형성시 요구되는 젖음성, 확산방지기능, 저응력의 조건을 만족하면서 식각과정을 생략할 수 있어 저가의 공정 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020044442 (2002.07.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0476301-0000 (2005.03.03)
공개번호/일자 10-2004-0011628 (2004.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20050315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.07.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수현 대한민국 대전광역시유성구
2 김종연 대한민국 대전광역시유성구
3 유진 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0242163-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0015293-95
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0185731-72
7 의견서
Written Opinion
2004.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0307583-93
8 등록결정서
Decision to grant
2004.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0563546-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의 형성방법에 있어서, 니켈이온공급원 및 구리이온공급원을 함유하는 도금액에 패턴이 형성된 웨이퍼를 담그는 단계와, 소정의 전류밀도를 가하여 칩의 패드와 솔더범프간의 접속과 응력완화를 위한 구리층을 형성하는 단계와, 전류밀도를 증가시켜 솔더와 패드간의 확산방지층인 니켈-구리합금층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 전류밀도를 다시 감소시켜 상기 니켈-구리합금층 위에 솔더와의 젖음성 개선을 위한 구리층을 형성하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
3 3
제 1항에 있어서, 순수 구리층과 니켈-구리 합금층의 형성에 요구되는 전류밀도의 비는 1:2
4 4
제 3항에 있어서, 순수 구리층의 형성시 가하는 전류밀도는 0
5 5
제 3항에 있어서, 니켈-구리 합금층의 형성시 가하는 전류밀도는 0
6 6
제 1항에 있어서, 니켈이온공급원으로는 NiSO4, NiCl2, Ni(SO3NH2)2 에서 선택된 적어도 1종이상을 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
7 7
제 1항에 있어서, 구리이온공급원으로는 CuSO4, CuCN, Cu2P2O7 에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
8 7
제 1항에 있어서, 구리이온공급원으로는 CuSO4, CuCN, Cu2P2O7 에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06716738 US 미국 FAMILY
2 US20040018660 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2004018660 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6716738 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.