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루테늄을 형성하는 제 1단계;금속질화물을 형성하는 제 2단계; 및상기 제 1단계 및 상기 제 2단계를 반복하여 삼원계루테늄막을 형성하는 제 3단계를 포함하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계는 플라즈마 원자층 증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1단계는루테늄 소스의 전구체를 주입시켜 기판에 흡착시키는 단계;퍼지가스를 주입하는 단계;제 1 반응가스를 주입하면서 플라즈마를 발생시켜 흡착된 루테늄 소스의 전구체의 리간드를 제거함으로써 루세늄 원자층을 형성하는 단계; 및퍼지가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 2단계는이원계 질화물을 형성하기 위한 금속소스의 전구체를 주입하여 흡착시키는 단계;퍼지가스를 주입하는 단계;제 2 반응가스를 주입하면서 플라즈마를 발생시켜 흡착된 상기 금속소스 전구체의 리간드를 제거함으로써 이원계 질화물을 형성하는 단계; 및퍼지가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 루테늄 소스의 전구체는 u(EtCp)2, Ru(i-PrCp)2, RuCp2, Ru(OD)3, Ru(THD)3, Ru(THD)2COD, Ru(MeCp)2, RuCl3, CpRu(CO)3, Ru3(CO)12, Ru(acac)3 중 적어도 하나 이상의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 루테늄 소스 전구체는 0
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제 3항에 있어서, 상기 루테늄 소스 전구체는 20~200sccm 양이 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 퍼지가스는 Ar, N2, Ne, He, H2 중에서 선택되는 적어도 하나 이상의 가스인것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 퍼지가스는 0
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제 3항에 있어서, 상기 퍼지가스는 20~200sccm 양이 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 1반응가스는 NH3, N2, H2, O2, Ar 및 이들의 혼합가스 중 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 11항에 있어서, 상기 제 1반응가스는 흡착된 루테늄 소스 전구체와의 반응성을 높이기 위하여 플라즈마를 발생시켜 주입하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 1 반응가스는 0
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제 3항에 있어서, 상기 제 1 반응가스는 20~200sccm 양이 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 4항에 있어서, 상기 제 2 반응가스는 NH3, H2, N2, tBuNH2, AyNH2, Me2NNH2 중 선택되는 1종 이상의 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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16
제 15항에 있어서, 상기 제 2 반응가스는 흡착된 루테늄 소스 전구체와의 반응성을 높이기 위하여 플라즈마를 발생시켜 주입하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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17
제 16항에 있어서, 상기 플라즈마 파워는 10~300W 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 4항에 있어서, 상기 제 2 반응가스는 0
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제 4항에 있어서, 상기 제 2 반응가스는 20~200sccm 양이 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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20
제 4항에 있어서, 상기 금속소스는 타이타늄(Ti)소스를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 20항에 있어서, 상기 타이타늄 소스는 TiCl4, TiI4, TDMAT, TDEAT, TEMAT 중 선택되는 1종의 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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22
제 4항에 있어서, 상기 금속소스는 탄탈늄(Ta)소스를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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23
제 22항에 있어서, 상기 탄탈늄 소스는 TaCl4, TaBr4, TaF4, TBTDET, PEMAT, PDMAT, PDEAT, TAIMATA 중 선택되는 1종의 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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24
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a) 내지 단계 (c)는 반복되는 횟수에 의하여 증착되는 막의 두께를 결정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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제 24항에 있어서, 상기 단계 (a)가 적어도 한번 이상 반복된 이후에 상기 단계 (b)가 적어도 한번 이상 반복되는 과정이 하나의 사이클을 이루는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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26
제 1항에 있어서, 상기 전구체가 증착실내로 원활하게 유입되도록 하기 위해서 상기 전구체를 운반가스에 혼합하여 증착실 내로 유입하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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27
제 26항에 있어서, 상기 운반가스는 Ar, N2, H2, He, Ne 중 선택되는 1종 이상의 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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28
제 1항에 있어서, 상기 금속소스는 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 1종의 금속소스를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 원자층증착법을 이용한 반도체 소자용 삼원계루테늄 박막제작방법
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