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나노 구조물 가공용 엑스선 마스크 제조 방법 및 그마스크를 이용한 나노 구조물 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015117235
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 구조물 가공용 엑스선 마스크 제조 방법 및 그에 따라 제조된 나노 구조물 가공용 엑스선 마스크를 통하여 나노 구조물을 제조하는 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 나노 구조물 가공용 엑스선 마스크 제조 방법은 실리콘 기판을 열산화하여 상부면과 하부면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계와, 실리콘 산화막에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와, 실리콘 기판의 상부면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 구조물 형상에 따라 식각하는 단계와, 실리콘 기판의 하부면에 형성된 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 식각하여 실리콘막 함몰부를 형성시키는 단계와, 실리콘막 함몰부를 통하여 노출된 실리콘 기판의 부분을 습식에칭하는 단계와, 실리콘 기판의 외부로 노출된 면에 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 저압화학 기상증착하는 단계와, 실리콘 기판의 하부면 방향에서 투영된 면의 저압화학 기상증착된 실리콘 질화막상에 엑스선 흡수층을 형성시키는 단계로 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 형상의 제한이 없이 다양한 형상의 나노 구조물을 제조할 수 있고, 나노 구조물 사이의 간격을 작게 하여 좁은 공간에 밀집된 나노 구조물을 정확하게 제조할 수 있다. 나노, 엑스선 마스크, 저압화학 기상증착, 실리콘 질화막, 노광
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/316 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020050008493 (2005.01.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0590442-0000 (2006.06.09)
공개번호/일자
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자
심사청구항수 0
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행정처리가 정보가 없습니다
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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